VBQA165A10S 是微碧半导体（VBsemi）推出的一款高性能 E-MODE（增强型）GaN HEMT 器件。该器件采用 Single-N 配置，具备 650V 漏源电压（VDS），门源电压范围为 -1.4V~7V，开启阈值电压 Vth = 1.5V。在 6V 驱动条件下，导通电阻（RDS(on)）低至 190 mΩ，最大连续漏极电流 ID 达 10A。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 650V | -1.4~7V | 1.5V | 10A | 190(mΩ) | E-MODE |
型号：VBQA165A10S
- **封装**: DFN8(5X6)
- **配置**: Single-N Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: -1.4~7V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 190mΩ @ VGS = 6V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: E-MODE
VBQA165A10S 凭借高频、低损耗、高功率密度的核心优势，广泛应用于以下领域：
快充与无线充电 —— 支持高频率开关，高功率密度设计满足现代快充标准，适用于各类消费电子快充适配器及无线充电模块。
服务器与数据中心电源 —— 降低能源消耗，提高供电可靠性，助力数据中心实现绿色节能目标。
电动汽车充电桩 —— 在高压、高电流环境下稳定工作，确保充电系统高效运行。
工业逆变器与电源管理 —— 满足高频、高效和高可靠性的工业应用需求，适用于工业电源、逆变器等场景。
DC-DC 转换器 —— 提升转换效率，降低能耗和热量，提高电源整体性能。
此外，VBQA165A10S 在 5G 射频电源、车载 OBC（车载充电机）及便携储能等领域同样具有广阔的应用前景。
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