VBA6317 是 VBsemi 推出的采用 Trench（沟槽）技术的高性能双 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 MSOP8 封装，具备极低的导通电阻（VGS=4.5V 时 25mΩ，VGS=10V 时 20mΩ），支持逻辑电平驱动，每通道连续漏极电流可达 6.5A，同时耐压达到 30V。其优异的导通特性与低开关损耗使其适用于高功率密度、高效率的电源转换及负载管理系统。
立即下载
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSOP8 | Dual N+N | 30V | ±20V | 1.6V | 6.5A | 25(mΩ) | 20(mΩ) | Trench |
产品参数：
配置：Dual N+N
漏源电压 VDS(V)：30
栅源电压 VGS(±V)：20
阈值电压 Vth(V)：1.6
导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V：25 mΩ
导通电阻 RDS(on) @ VGS=10V：20 mΩ
连续漏极电流 ID(A)：6.5（每通道）
技术：Trench
封装：MSOP8
电源转换：小功率 DC-DC 变换器、负载点同步整流，利用低 RDS(on) 降低导通损耗。
电池保护：单节/多节锂电池保护板，双 N 沟道背靠背用作充电与放电控制开关。
负载开关：便携设备、物联网模块、可穿戴设备的双通道高侧或低侧电源分配。
电机驱动：小型无人机、机器人关节、精密微型直流电机的 H 桥或半桥驱动。
信号与接口保护：USB Type-C VBUS 开关、过压保护及电源多路复用。
该器件凭借 Trench 技术与紧凑的 MSOP8 封装，适合对导通电阻和空间尺寸有严苛要求的便携式、电池供电及消费电子场景。
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
* 如果您需要申请我司样品，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
中文
English
返回上级页面
