eVTOL电驱与能源管理系统总拓扑图
graph LR
%% 高压电池系统
subgraph "高压电池母线系统"
BATTERY["高压电池组 \n 300-800VDC"] --> BMS["电池管理系统(BMS)"]
BMS --> HV_BUS["高压直流母线"]
HV_BUS --> CURRENT_SENSE["高精度电流检测"]
HV_BUS --> VOLTAGE_SENSE["母线电压监测"]
end
%% 主推进系统
subgraph "主推进电机驱动逆变器"
HV_BUS --> INV_BUS["逆变器直流母线"]
subgraph "三相全桥逆变器"
PHASE_U["U相桥臂"]
PHASE_V["V相桥臂"]
PHASE_W["W相桥臂"]
end
INV_BUS --> PHASE_U
INV_BUS --> PHASE_V
INV_BUS --> PHASE_W
subgraph "功率MOSFET阵列(每桥臂多管并联)"
Q_UH["VBGQF1208N \n 200V/18A"]
Q_UL["VBGQF1208N \n 200V/18A"]
Q_VH["VBGQF1208N \n 200V/18A"]
Q_VL["VBGQF1208N \n 200V/18A"]
Q_WH["VBGQF1208N \n 200V/18A"]
Q_WL["VBGQF1208N \n 200V/18A"]
end
PHASE_U --> Q_UH
PHASE_U --> Q_UL
PHASE_V --> Q_VH
PHASE_V --> Q_VL
PHASE_W --> Q_WH
PHASE_W --> Q_WL
Q_UH --> MOTOR_U["U相输出"]
Q_UL --> MOTOR_U
Q_VH --> MOTOR_V["V相输出"]
Q_VL --> MOTOR_V
Q_WH --> MOTOR_W["W相输出"]
Q_WL --> MOTOR_W
MOTOR_U --> MAIN_MOTOR["主推进电机 \n >50kW"]
MOTOR_V --> MAIN_MOTOR
MOTOR_W --> MAIN_MOTOR
end
%% 高压配电与负载管理
subgraph "高压配电与智能负载管理"
HV_BUS --> DISTRIBUTION["高压配电总线"]
subgraph "关键负载高侧开关"
SW_LIGHT["VB8102M \n -100V/-4.1A \n 照明系统"]
SW_COMM["VB8102M \n -100V/-4.1A \n 通信设备"]
SW_SENSOR["VB8102M \n -100V/-4.1A \n 传感器阵列"]
SW_BACKUP["VB8102M \n -100V/-4.1A \n 飞控备份电源"]
end
DISTRIBUTION --> SW_LIGHT
DISTRIBUTION --> SW_COMM
DISTRIBUTION --> SW_SENSOR
DISTRIBUTION --> SW_BACKUP
SW_LIGHT --> LIGHT["任务探照灯"]
SW_COMM --> COMM["应急通信电台"]
SW_SENSOR --> SENSOR["生命体征监测"]
SW_BACKUP --> BACKUP["飞控系统备份"]
end
%% 关键任务设备供电
subgraph "关键任务设备DC-DC电源"
DISTRIBUTION --> DC_DC_IN["DC-DC输入"]
subgraph "同步Buck转换器"
Q_HIGH["VBGQF1610 \n 60V/35A \n 高侧开关"]
Q_LOW["VBGQF1610 \n 60V/35A \n 低侧开关"]
L_FILTER["输出滤波电感"]
C_FILTER["输出滤波电容"]
end
DC_DC_IN --> Q_HIGH
Q_HIGH --> SW_NODE["开关节点"]
SW_NODE --> Q_LOW
Q_LOW --> GND_DC
SW_NODE --> L_FILTER
L_FILTER --> C_FILTER
C_FILTER --> PSY_OUT["稳定直流输出 \n 心理干预设备供电"]
end
%% 控制与保护系统
subgraph "控制、驱动与保护系统"
MCU["主控MCU/飞控计算机"] --> GATE_DRIVER["隔离栅极驱动器"]
GATE_DRIVER --> Q_UH
GATE_DRIVER --> Q_UL
GATE_DRIVER --> Q_VH
GATE_DRIVER --> Q_VL
GATE_DRIVER --> Q_WH
GATE_DRIVER --> Q_WL
subgraph "保护电路"
DESAT["退饱和检测"]
OCP["过流保护"]
OVP["过压保护"]
OTP["过温保护"]
TVS_ARRAY["TVS保护阵列"]
SNUBBER["RC吸收电路"]
end
CURRENT_SENSE --> OCP
VOLTAGE_SENSE --> OVP
TEMP_SENSOR["NTC温度传感器"] --> OTP
OCP --> MCU
OVP --> MCU
OTP --> MCU
MCU --> FAULT["故障保护输出"]
FAULT --> GATE_DRIVER
subgraph "负载开关驱动"
LEVEL_SHIFTER["电平转换电路"]
LEVEL_SHIFTER --> SW_LIGHT
LEVEL_SHIFTER --> SW_COMM
LEVEL_SHIFTER --> SW_SENSOR
LEVEL_SHIFTER --> SW_BACKUP
MCU --> LEVEL_SHIFTER
end
DC_DC_CTRL["DC-DC控制器"] --> Q_HIGH
DC_DC_CTRL --> Q_LOW
MCU --> DC_DC_CTRL
end
%% 散热系统
subgraph "三级热管理系统"
COOLING_LEVEL1["一级: 液冷系统 \n 主驱MOSFET"]
COOLING_LEVEL2["二级: 强制风冷 \n 配电MOSFET"]
COOLING_LEVEL3["三级: PCB导热 \n 控制芯片"]
COOLING_LEVEL1 --> Q_UH
COOLING_LEVEL1 --> Q_VH
COOLING_LEVEL1 --> Q_WH
COOLING_LEVEL2 --> SW_LIGHT
COOLING_LEVEL2 --> SW_COMM
COOLING_LEVEL3 --> MCU
COOLING_LEVEL3 --> GATE_DRIVER
FAN_CTRL["风扇/Pump控制"] --> COOLING_FAN["冷却风扇"]
FAN_CTRL --> LIQUID_PUMP["液冷泵"]
TEMP_SENSOR --> FAN_CTRL
MCU --> FAN_CTRL
end
%% 通信与监控
subgraph "系统通信与健康管理"
MCU --> CAN_BUS["CAN总线接口"]
CAN_BUS --> VEHICLE_NET["飞行器通信网络"]
MCU --> TELEMETRY["遥测数据接口"]
TELEMETRY --> GROUND_STATION["地面控制站"]
HEALTH_MON["健康管理系统"] --> MCU
end
%% 样式定义
style Q_UH fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
style SW_LIGHT fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
style Q_HIGH fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
style MCU fill:#fce4ec,stroke:#e91e63,stroke-width:2px
随着城市空中交通与应急响应体系的融合发展，高端低空应急心理干预eVTOL（电动垂直起降飞行器）已成为关键任务装备。其电驱与能源管理系统作为动力核心与配电中枢，直接决定了飞行器的响应速度、续航能力、安全冗余及任务可靠性。功率MOSFET作为该系统内的核心开关器件，其选型质量直接影响动力输出效率、电磁兼容性、功率密度及极端环境下的生存性。本文针对eVTOL的高功率密度、高可靠性及严苛安全标准要求，以场景化、系统化为设计导向，提出一套完整、可落地的功率MOSFET选型与设计实施方案。
一、选型总体原则：极端工况适配与安全冗余设计
功率MOSFET的选型必须超越常规消费级标准，在电气性能、热管理、重量体积及航空级可靠性之间取得最优平衡，确保与飞控系统及任务载荷的精准匹配。
1. 电压与电流应力设计
依据高压电池母线电压（常见300V-800V DC），选择耐压值留有 ≥100% 裕量的MOSFET，以应对高空开关尖峰、负载突变及电机反电动势冲击。同时，根据电机的持续与峰值相电流，确保电流规格具有充足余量，通常建议连续工作电流不超过器件标称值的 50%。
2. 极致损耗控制
损耗直接关联续航与热管理压力。传导损耗与导通电阻 (R_{ds(on)}) 成正比，应选择在系统工作电压下 (R_{ds(on)}) 最低的器件；开关损耗与栅极电荷 (Q_g) 及输出电容 (C_{oss}) 相关，低 (Q_g)、低 (C_{oss}) 有助于提高开关频率、降低动态损耗，并满足严苛的机载EMC要求。
3. 封装与功率密度协同
根据功率等级、空间与重量限制选择封装。主驱逆变器宜采用热阻极低、寄生参数小的先进封装（如DFN、PowerFLAT）；分布式负载开关需兼顾小型化与散热能力。布局时必须结合厚铜PCB与主动散热设计。
4. 可靠性与环境严苛性
在应急起降、高振动、宽温域（-40°C至+125°C）场景下，设备必须万无一失。选型时应聚焦器件的宽结温范围、高抗振性、抗宇宙射线单粒子效应能力及长期参数漂移特性。
二、分场景MOSFET选型策略
高端低空应急心理干预eVTOL主要功率环节可分为三类：主推进电机驱动、高压配电与负载管理、关键任务设备供电。各类负载工作特性迥异，需针对性选型。
场景一：主推进电机驱动逆变器（峰值功率>50kW）
主驱电机是eVTOL的动力心脏，要求驱动极高效率、极高可靠性及快速动态响应。
- 推荐型号：VBGQF1208N（N-MOS，200V，18A，DFN8(3×3)）
- 参数优势：
- 采用先进SGT工艺，耐压高达200V，为高压母线（如100V-150V）提供充足裕量。
- (R_{ds(on)}) 低至66 mΩ（@10 V），传导损耗低，适用于多管并联扩流。
- DFN封装热阻小，寄生电感极低，有利于高频开关与降低桥臂串扰。
- 场景价值：
- 支持高开关频率（50 kHz以上），实现电机的高精度控制与低谐波噪声，提升飞行平稳性与心理干预环境的静谧性。
- 高效率与良好的热特性有助于减轻散热系统重量，提升整机功率密度与续航。
- 设计注意：
- 必须采用多管并联设计以满足大电流需求，需严格筛选器件参数并优化均流布局。
- 必须搭配隔离型、具备高级保护功能（如退饱和检测）的栅极驱动IC。
场景二：高压配电与关键负载管理（照明、通讯、传感）
此部分负责安全隔离与智能分配高压电源，要求高侧开关控制、低静态功耗及高集成度。
- 推荐型号：VB8102M（P-MOS，-100V，-4.1A，SOT23-6）
- 参数优势：
- 耐压-100V，可直接用于100V母线的高侧开关，提供良好隔离。
- (R_{ds(on)}) 仅200 mΩ（@10 V），导通压降低，功耗小。
- SOT23-6封装集成度高，可能内含保护或逻辑电路，简化设计。
- 场景价值：
- 可实现关键负载（如任务电台、探照灯、生命体征监测模块）的独立智能通断与故障隔离，确保核心任务设备供电安全。
- 低功耗特性有助于降低系统待机损耗，延长应急待命时间。
- 设计注意：
- 作为高侧P-MOS，需设计可靠的电平转换驱动电路。
- 输出端需配置TVS及保险丝，实现过压与过流双重保护。
场景三：关键任务设备（如心理干预设备、飞控备份电源）DC-DC转换
为精密电子设备供电的DC-DC模块，要求高效率、低噪声及快速瞬态响应。
- 推荐型号：VBGQF1610（N-MOS，60V，35A，DFN8(3×3)）
- 参数优势：
- 采用SGT工艺，(R_{ds(on)}) 极低，仅11.5 mΩ（@10 V），传导损耗极佳。
- 连续电流35A，满足大功率DC-DC同步整流或开关管需求。
- 低栅极电荷利于高频工作，提升转换器功率密度。
- 场景价值：
- 用于同步Buck或Boost转换器的上下桥臂，可实现效率 >97% 的高性能电源，为敏感电子设备提供纯净、稳定的电力。
- 优异的开关特性有助于减小滤波器体积与重量，符合航空器紧凑化要求。
- 设计注意：
- 布局时需最小化功率回路面积以抑制开关噪声。
- 栅极驱动需优化RC网络，平衡开关速度与EMI。
三、系统设计关键实施要点
1. 驱动与保护电路强化
- 高压大电流MOSFET（如VBGQF1208N）：必须使用具备米勒钳位、软关断功能的隔离驱动IC，防止桥臂直通与误导通。集成电流传感与温度监控。
- 高侧开关MOSFET（如VB8102M）：驱动电路需具备足够电压摆幅与抗共模干扰能力，确保开关状态绝对可靠。
- 高频DC-DC用MOSFET（如VBGQF1610）：驱动路径需尽可能短，采用门极电阻与铁氧体磁珠组合抑制振铃。
2. 热管理与环境适应设计
- 主动散热策略：
- 主驱MOSFET需直接安装在液冷或强制风冷散热器上，通过导热绝缘垫与壳体紧密耦合。
- 配电与DC-DC用MOSFET需通过厚铜PCB与内部导热通道将热量传导至主散热系统。
- 降额设计：在高原低气压、高温环境下，电流与功率需进行大幅降额应用。
3. EMC与可靠性提升
- 噪声抑制：
- 在逆变器母线与各相输出端并联高频薄膜电容与吸收电容，抑制电压尖峰与反射。
- 所有长线供电端口串联共模扼流圈并加装屏蔽。
- 防护与冗余设计：
- 所有MOSFET栅极配置高压TVS管防静电与过压，电源端口采用防浪涌组件。
- 关键功率路径采用双路冗余设计，配合故障检测实现无缝切换。
四、方案价值与扩展建议
核心价值
1. 极致安全与可靠：高压大裕量选型、多重保护与冗余设计，满足航空级安全标准，保障应急任务绝对可靠。
2. 高功率密度与长续航：采用低损耗SGT MOSFET与先进封装，显著提升系统效率，降低散热负担，增加有效载荷与航时。
3. 智能配电与任务保障：智能负载管理确保关键任务设备优先供电，为心理干预任务提供稳定、不间断的电力支持。
优化与调整建议
- 功率升级：若平台功率需求继续增长，可考虑并联更多VBGQF1208N，或选用耐压更高（如650V）的SiC MOSFET以实现更高效、更轻量的逆变设计。
- 集成化升级：在空间受限的分布式负载点，可选用集成驱动与保护的智能功率开关（IPS）替代分立方案。
- 极端环境加固：针对高振动与盐雾环境，可对功率模块进行灌封处理，并选用符合AEC-Q101标准的车规或航规级器件。
- 数字电源管理：结合数字控制器，对选型MOSFET的工作状态进行实时监控与预测性健康管理。
功率MOSFET的选型是高端低空应急心理干预eVTOL电驱与能源系统设计的核心环节。本文提出的场景化选型与系统化设计方法，旨在实现动力性、安全性、可靠性及紧凑性的最佳平衡。随着电动航空技术演进，未来将全面迈向SiC与GaN等宽禁带器件，为下一代eVTOL带来颠覆性的效率、功率密度与高温性能提升。在低空应急响应体系日益重要的今天，卓越的硬件设计是保障任务成功与人员安全的基石。
详细子系统拓扑图
主推进电机驱动逆变器详图
graph TB
subgraph "三相全桥逆变器拓扑"
HV_BUS["高压直流母线"] --> BUS_CAP["直流母线电容"]
BUS_CAP --> POS_BUS["正极母线"]
BUS_CAP --> NEG_BUS["负极母线"]
subgraph "U相桥臂(多管并联)"
Q_UH1["VBGQF1208N"]
Q_UH2["VBGQF1208N"]
Q_UL1["VBGQF1208N"]
Q_UL2["VBGQF1208N"]
end
subgraph "V相桥臂(多管并联)"
Q_VH1["VBGQF1208N"]
Q_VH2["VBGQF1208N"]
Q_VL1["VBGQF1208N"]
Q_VL2["VBGQF1208N"]
end
subgraph "W相桥臂(多管并联)"
Q_WH1["VBGQF1208N"]
Q_WH2["VBGQF1208N"]
Q_WL1["VBGQF1208N"]
Q_WL2["VBGQF1208N"]
end
POS_BUS --> Q_UH1
POS_BUS --> Q_UH2
POS_BUS --> Q_VH1
POS_BUS --> Q_VH2
POS_BUS --> Q_WH1
POS_BUS --> Q_WH2
Q_UH1 --> U_PHASE["U相输出"]
Q_UH2 --> U_PHASE
Q_UL1 --> U_PHASE
Q_UL2 --> U_PHASE
Q_VH1 --> V_PHASE["V相输出"]
Q_VH2 --> V_PHASE
Q_VL1 --> V_PHASE
Q_VL2 --> V_PHASE
Q_WH1 --> W_PHASE["W相输出"]
Q_WH2 --> W_PHASE
Q_WL1 --> W_PHASE
Q_WL2 --> W_PHASE
U_PHASE --> MOTOR["永磁同步电机"]
V_PHASE --> MOTOR
W_PHASE --> MOTOR
Q_UL1 --> NEG_BUS
Q_UL2 --> NEG_BUS
Q_VL1 --> NEG_BUS
Q_VL2 --> NEG_BUS
Q_WL1 --> NEG_BUS
Q_WL2 --> NEG_BUS
end
subgraph "隔离驱动与保护"
DRIVER_IC["隔离栅极驱动器"] --> GATE_RES["门极电阻"]
GATE_RES --> Q_UH1
GATE_RES --> Q_UH2
DESAT_CIRCUIT["退饱和检测"] --> DESAT_DIODE["检测二极管"]
DESAT_DIODE --> Q_UH1
DESAT_DIODE --> Q_UH2
DESAT_CIRCUIT --> FAULT["故障信号"]
MILLER_CLAMP["米勒钳位电路"] --> Q_UH1
MILLER_CLAMP --> Q_UH2
SOFT_OFF["软关断电路"] --> Q_UH1
SOFT_OFF --> Q_UH2
end
subgraph "热管理与布局"
COOLING_PLATE["液冷散热板"] --> Q_UH1
COOLING_PLATE --> Q_UH2
COOLING_PLATE --> Q_UL1
COOLING_PLATE --> Q_UL2
THERMAL_PAD["导热绝缘垫"] --> COOLING_PLATE
TEMP_SENSOR["温度传感器"] --> MCU
SYMMETRY["对称布局 \n 优化均流"] --> Q_UH1
SYMMETRY --> Q_UH2
end
style Q_UH1 fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
style Q_UH2 fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
高压配电与负载管理详图
graph LR
subgraph "高压母线智能配电系统"
HV_IN["高压直流输入"] --> PRE_FILTER["输入滤波"]
PRE_FILTER --> DIST_BUS["配电总线"]
subgraph "高侧P-MOSFET开关阵列"
SW1["VB8102M \n 照明通道"]
SW2["VB8102M \n 通信通道"]
SW3["VB8102M \n 传感器通道"]
SW4["VB8102M \n 备份电源通道"]
SW5["VB8102M \n 预留通道"]
end
DIST_BUS --> SW1
DIST_BUS --> SW2
DIST_BUS --> SW3
DIST_BUS --> SW4
DIST_BUS --> SW5
SW1 --> LIGHT_OUT["照明负载"]
SW2 --> COMM_OUT["通信设备"]
SW3 --> SENSOR_OUT["传感器组"]
SW4 --> BACKUP_OUT["备份系统"]
SW5 --> SPARE_OUT["备用接口"]
subgraph "保护电路(每通道)"
TVS["TVS保护"] --> FUSE["保险丝"]
FUSE --> LOAD
end
LIGHT_OUT --> TVS_LIGHT[TVS]
COMM_OUT --> TVS_COMM[TVS]
SENSOR_OUT --> TVS_SENSOR[TVS]
BACKUP_OUT --> TVS_BACKUP[TVS]
SPARE_OUT --> TVS_SPARE[TVS]
TVS_LIGHT --> LIGHT_LOAD["探照灯"]
TVS_COMM --> COMM_LOAD["电台"]
TVS_SENSOR --> SENSOR_LOAD["监测模块"]
TVS_BACKUP --> BACKUP_LOAD["飞控备份"]
TVS_SPARE --> SPARE_LOAD["预留"]
end
subgraph "高侧开关驱动电路"
MCU_GPIO["MCU GPIO"] --> LEVEL_SHIFTER["电平转换器"]
LEVEL_SHIFTER --> GATE_DRIVE["栅极驱动"]
GATE_DRIVE --> SW1
GATE_DRIVE --> SW2
GATE_DRIVE --> SW3
GATE_DRIVE --> SW4
GATE_DRIVE --> SW5
subgraph "状态反馈"
CURRENT_MON["电流监测"]
VOLTAGE_MON["电压监测"]
STATUS_FLAG["状态标志"]
end
SW1 --> CURRENT_MON
SW2 --> CURRENT_MON
SW3 --> CURRENT_MON
SW4 --> CURRENT_MON
SW5 --> CURRENT_MON
LIGHT_LOAD --> VOLTAGE_MON
COMM_LOAD --> VOLTAGE_MON
SENSOR_LOAD --> VOLTAGE_MON
BACKUP_LOAD --> VOLTAGE_MON
SPARE_LOAD --> VOLTAGE_MON
CURRENT_MON --> MCU
VOLTAGE_MON --> MCU
STATUS_FLAG --> MCU
end
subgraph "冗余与故障切换"
MAIN_CHANNEL["主供电通道"] --> LOAD_SWITCH["负载切换开关"]
BACKUP_CHANNEL["备份供电通道"] --> LOAD_SWITCH
LOAD_SWITCH --> CRITICAL_LOAD["关键负载"]
FAULT_DETECT["故障检测电路"] --> MCU
MCU --> LOAD_SWITCH
end
style SW1 fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
style SW2 fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
关键任务设备DC-DC电源详图
graph TB
subgraph "同步Buck转换器拓扑"
VIN["高压输入(48-100V)"] --> INPUT_CAP["输入电容"]
INPUT_CAP --> POS_IN["输入正极"]
INPUT_CAP --> NEG_IN["输入负极"]
subgraph "功率开关级"
Q_HIGH["VBGQF1610 \n 高侧开关"]
Q_LOW["VBGQF1610 \n 低侧开关"]
end
POS_IN --> Q_HIGH
Q_HIGH --> SW_NODE["开关节点"]
SW_NODE --> Q_LOW
Q_LOW --> NEG_IN
subgraph "输出滤波"
SW_NODE --> FILTER_INDUCTOR["功率电感"]
FILTER_INDUCTOR --> OUTPUT_CAP["输出电容"]
OUTPUT_CAP --> VOUT["稳定输出 \n 12V/24V"]
end
VOUT --> LOAD["心理干预设备 \n 飞控系统"]
end
subgraph "控制与驱动电路"
CONTROLLER["DC-DC控制器"] --> HIGH_DRIVER["高侧驱动器"]
CONTROLLER --> LOW_DRIVER["低侧驱动器"]
HIGH_DRIVER --> Q_HIGH
LOW_DRIVER --> Q_LOW
subgraph "反馈与补偿"
VOUT --> VOLTAGE_DIVIDER["分压采样"]
VOLTAGE_DIVIDER --> ERROR_AMP["误差放大器"]
ERROR_AMP --> COMPENSATION["补偿网络"]
COMPENSATION --> CONTROLLER
CURRENT_SENSE["电流检测"] --> CONTROLLER
end
subgraph "布局优化"
MIN_LOOP["最小功率回路"] --> Q_HIGH
MIN_LOOP --> Q_LOW
MIN_LOOP --> INPUT_CAP
SYMMETRY["对称布局"] --> Q_HIGH
SYMMETRY --> Q_LOW
SHORT_PATH["最短驱动路径"] --> HIGH_DRIVER
SHORT_PATH --> LOW_DRIVER
end
end
subgraph "EMC优化设计"
GATE_RES["门极电阻"] --> Q_HIGH
GATE_RES --> Q_LOW
FERRITE_BEAD["铁氧体磁珠"] --> GATE_RES
SNUBBER["RC吸收电路"] --> Q_HIGH
SNUBBER --> Q_LOW
FILTER_CAP["高频滤波电容"] --> INPUT_CAP
SHIELDING["屏蔽与接地"] --> NEG_IN
end
subgraph "热管理"
PCB_THERMAL["厚铜PCB散热"] --> Q_HIGH
PCB_THERMAL --> Q_LOW
THERMAL_VIAS["散热过孔阵列"] --> PCB_THERMAL
HEATSINK["小型散热器"] --> Q_HIGH
HEATSINK --> Q_LOW
end
style Q_HIGH fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
style Q_LOW fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
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