在工业电源、电机驱动、光伏逆变、UPS及充电设备等高压功率应用领域，ROHM（罗姆）的R8008ANX以其800V高耐压、8A电流能力，一直是中高压开关电路中的常见选择。然而，在全球供应链不确定性增加、进口器件交期延长、采购成本居高不下的背景下，寻找一款参数匹配、性能可靠且供应稳定的国产替代品已成为企业保障生产与优化成本的关键。VBsemi微碧半导体基于自主研发的核心技术，推出VBMB18R07S N沟道功率MOSFET，精准对标R8008ANX，实现在关键参数上的优化升级与封装的完全兼容，为高压应用提供更优效、更经济、更易得的本土化解决方案。
参数对标且关键性能提升，助力系统能效升级。 VBMB18R07S专为替代R8008ANX进行优化设计，在维持同等800V漏源电压的同时，对导通特性进行显著改进：其导通电阻（RDS(on)）大幅降低至770mΩ（@10V驱动电压），较原型号的1.03Ω（@10V,4A）下降超过25.2%，更低的导通阻抗意味着更低的通态损耗，可显著提升系统整体能效，减少发热，尤其适用于高频开关场景；器件支持±30V栅源电压，具备更强的栅极抗扰度，3.5V的典型栅极阈值电压易于驱动并与主流驱动芯片兼容，无需额外调整电路。尽管连续漏极电流标称为7A，但凭借优异的导通电阻与散热设计，其在多数中功率应用中表现稳定可靠，可为原使用R8008ANX的电路提供直接而高效的替换选择。
SJ_Multi-EPI技术赋能，高可靠性适配严苛环境。 VBMB18R07S采用先进的SJ_Multi-EPI（超级结多外延）技术，在保证高压耐性的同时优化了电荷平衡与开关特性，使器件兼具低导通电阻与低开关损耗。该技术配合优化的内部结构，提升了dv/dt耐受能力与雪崩鲁棒性，确保在高压开关、感性负载关断等瞬态过程中稳定工作。产品经过严格的可靠性测试，包括高低温循环、高温反偏及湿度负荷测试，工作温度范围覆盖-55℃至150℃，能够适应工业、新能源及户外设备中的复杂环境，长期使用失效率低，满足高可靠应用需求。
封装完全兼容，替换无缝高效。 VBMB18R07S采用TO-220F封装，其引脚定义、机械尺寸及安装孔位均与R8008ANX的TO-220F封装完全一致，用户无需修改现有PCB布局与散热设计，即可实现“即插即用”的直接替换。这极大降低了替代过程中的工程成本与时间风险，避免重复进行电路验证与结构适配，帮助客户快速完成物料切换，缩短产品迭代周期。
本土供应链与快速支持，保障稳定生产与及时响应。 VBsemi微碧半导体依托国内完整的产业配套与自主产能，确保VBMB18R07S的稳定供应与快速交付，标准交期缩短至2‑4周，紧急需求可加速调配，有效缓解因进口器件短缺带来的生产压力。公司提供全方位技术支持，包括免费样品申请、替代验证指导、应用电路咨询及失效分析服务，技术团队响应迅速，能够为客户提供本地化、即时性的解决方案，显著提升替代效率与使用信心。
从工业电源到新能源设备，从电机驱动到不间断电源，VBMB18R07S以“性能提升、引脚兼容、供应可靠、支持到位”的综合优势，成为R8008ANX国产替代的理想选择。目前已在家电、工业控制、电源制造等多个领域实现批量应用。选择VBMB18R07S，不仅是完成物料的平稳替代，更是实现系统能效升级、供应链自主可控与成本优化的重要一步——无需改板，即刻升级。