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VB1317 产品详细

产品简介:

**VB1317 产品简介**
VB1317 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 小型封装,专为高效功率管理和开关应用设计。该器件的漏源耐压 (VDSS) 为 30V,栅极驱动电压范围为 ±20V,最低可在 1.5V 的栅极电压下实现导通。其导通电阻极低,仅 17mΩ(最大值),支持高达 10A 的连续漏极电流,适用于高功率密度的应用场景。VB1317 采用先进的 Trench 工艺,使其在高效率开关和低损耗功率转换方面具有出色表现,广泛用于 DC-DC 转换器、锂电池保护、负载开关、LED 驱动等应用领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20V(±V) 1.5V 10A 21(mΩ) 17(mΩ) Trench
**VB1317 详细参数说明**

| **参数** | **数值** | **单位** | **备注** |
|-------------|----------|---------|----------|
| **封装类型** | SOT23-3 | / | 小型表贴封装 |
| **极性** | N 沟道 | / | / |
| **漏源电压 (VDSS)** | 30 | V | 最大耐压 |
| **栅极驱动电压 (VGS)** | ±20 | V | 允许的栅极电压范围 |
| **阈值电压 (VGS(th))** | 1.5 | V | 典型值 |
| **导通电阻 (RDS(on))** | 21 (典型) / 17 (最大) | mΩ | VGS = 10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 10 | A | 最高连续电流 |
| **工艺类型** | Trench | / | 提供更低的导通电阻和更好的开关性能 |

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领域和模块应用:

**应用领域与模块示例**

1. **DC-DC 电源转换器**
VB1317 适用于高效降压 (Buck) 和升压 (Boost) DC-DC 转换器。其低导通电阻 (RDS(on)) 使其能够在高频开关电源中减少功率损耗,提高转换效率。常见应用包括笔记本电脑、嵌入式系统和工业电源模块。

2. **锂电池管理与保护电路**
该 MOSFET 可用于锂离子电池保护模块 (BMS),负责控制充放电路径。其高达 10A 的电流承载能力,能够支持大电流电池组的保护电路,防止过充、过放或短路情况发生,提高电池安全性和寿命。

3. **负载开关与功率控制**
在便携式设备(如智能手机、平板电脑、无线音箱等)中,VB1317 可用作负载开关,控制外设供电。其低 RDS(on) 确保最小的电压损耗,提高设备续航能力。

4. **LED 照明与驱动电路**
该 MOSFET 适用于大功率 LED 照明驱动电路,如汽车照明、户外照明等。其低导通电阻和高电流能力使其能够在 PWM 调光应用中提供高效的电流切换,提高 LED 光效并降低发热。

5. **电机驱动与工业控制**
在小型无刷电机 (BLDC) 或步进电机驱动电路中,VB1317 可作为 H 桥开关组件,控制电机的通断和方向。其高电流能力使其适用于无人机、电动工具、智能家居设备中的电机驱动模块。

6. **无线通信设备与射频功率放大器**
在射频 (RF) 及无线通信设备(如 Wi-Fi 路由器、无线模块)中,该 MOSFET 可用于功率放大器或信号放大电路,提高射频信号的稳定性和传输效率。

综上所述,VB1317 具有高电流能力、低导通损耗、紧凑封装等特点,广泛应用于消费电子、电源管理、工业控制、无线通信等多个领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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