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VBE1252K 产品详细

产品简介:

VBE1252K 产品简介
VBE1252K 是一款 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-252 封装,基于 Trench 技术设计,适用于中等功率应用。该 MOSFET 具有 250V 的最大漏源电压(VDS)和 0.5A 的最大漏极电流(ID)。其典型导通电阻(RDS(on) = 1700mΩ @ VGS = 10V)使其在功率控制中具有较高的效率。VBE1252K 的阈值电压(Vthtyp)为 4.78V,适合在各种中功率电源和开关控制系统中应用,尤其适用于小型电源转换、保护电路和控制模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 250V 20V(±V) 4.78V 0.5A 1700(mΩ) Trench
VBE1252K 详细参数说明
封装类型:TO-252
配置:单管配置
极性:N 通道(N 型电流)
漏源电压(VDS):250V(最大)
栅源电压(VGS):±20V
阈值电压(Vthtyp):4.78V(典型值)
导通电阻(RDS(on)):1700 mΩ @ VGS = 10V(典型值)
最大漏极电流(ID):0.5A
技术类型:Trench 技术

领域和模块应用:

适用领域与模块
VBE1252K 作为一款低功率、高效能的 MOSFET,适用于多个领域和模块,以下是一些典型的应用:

电源管理与小型电源模块
在低功率电源管理系统中,VBE1252K 可用于 DC-DC 转换器、稳压器等电源模块中。其较低的导通电阻和适中的漏源电压,使其能够高效地实现电能转换,特别适合用于对体积和功率有较高要求的小型设备。

开关电源(SMPS)
VBE1252K 可广泛应用于开关电源(SMPS)中,尤其是对于较低功率的通信设备、家电和消费电子产品等。它的低漏源电压和适中的导通电阻使其能够有效控制电流,并提供稳定的电源输出。

电池供电系统
该 MOSFET 在电池驱动的应用中,如便携式电池供电设备中,能够作为电流控制开关,优化电池的充放电过程。VBE1252K 能够在低电流负载下工作,并有效延长电池寿命,适用于移动设备、电池组保护电路等。

保护电路与过载保护
由于其较高的漏源电压和适中的电流能力,VBE1252K 也适用于过载保护电路和电流限制模块中。它可以有效地通过控制电流,防止系统过载或过电流损害,确保电路的安全运行。

低功率开关应用
在低功率开关电路中,VBE1252K 的快速开关特性和适中的导通电阻使其成为理想的选择。适用于开关控制、继电器控制以及低功率负载的电流开关等应用。

家电与消费电子
在家电和消费电子产品中,如电视、冰箱、音响设备等,VBE1252K 可用于实现高效的电源开关控制,帮助提高能效,并降低待机功率消耗,适合中小功率应用。

通过这些应用,VBE1252K 提供了高效能和低功率损耗,能够满足多种低至中功率电源转换和电流控制的需求。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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