产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
2. 详细参数说明
| **参数** | **说明** |
|-------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **型号** | WST2N7002K-VB |
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单极性N通道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 60V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 3100mΩ（VGS=4.5V），2800mΩ（VGS=10V） |
| **最大漏极电流 (ID)** | 0.3A |
| **技术类型** | Trench技术 |
- **VDS**：最大漏源电压为60V，适合用于低压电源管理和控制电路。
- **VGS**：栅源电压为±20V，符合常见控制电压范围，能够轻松与微控制器和逻辑电路兼容。
- **Vth**：阈值电压为1.7V，适合用于低电压控制应用，确保MOSFET在较低的栅电压下即可启动。
- **RDS(ON)**：在VGS=10V时，导通电阻为2800mΩ，在VGS=4.5V时为3100mΩ，虽然RDS(ON)较高，但适用于低电流负载和简单开关应用。
- **ID**：最大漏极电流为0.3A，适用于小电流负载，特别适合低功率应用。
领域和模块应用：
3. 适用领域和模块
WST2N7002K-VB主要适用于以下领域和模块：
- **低功率电源和开关控制**：WST2N7002K-VB适用于低功率电源系统中，如电池供电设备、低功率LED驱动和简易的DC-DC转换器等。由于其较高的RDS(ON)，它更适合低电流负载的应用，能够有效控制功耗。
- **保护电路**：该MOSFET常用于电池保护电路、电压过压保护和短路保护中。在这种场合下，其优越的耐压能力和较低的工作电流使其成为一种可靠的选择。
- **开关电路与低功率负载**：在一些简单的开关电路中，WST2N7002K-VB用于低电流负载的控制。其较高的RDS(ON)适用于不需要高效能开关的应用场合，例如负载开关、电池充电器的控制电路等。
- **消费类电子产品**：在一些对功耗要求较低的消费电子产品中，WST2N7002K-VB适用于提供开关控制、负载切换等功能。例如，可以用于家电、传感器控制、便携式设备等。
- **低电流信号控制**：该MOSFET适合用于控制信号的传输或切换，比如在微控制器、传感器网络以及小型嵌入式系统中应用。它能够在低电流环境下提供可靠的开关操作。
- **简易电源管理系统**：对于一些要求简单电源管理的系统，WST2N7002K-VB由于其较低的最大电流和耐压特性，适用于电池管理系统、电源分配系统等。
总的来说，WST2N7002K-VB适用于低电流、小功率的开关控制电路，特别是在一些耐压较高、功耗较低的应用场景中，能有效提供所需的电源管理和负载控制功能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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