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WST05N10-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:WST05N10-VB MOSFET

WST05N10-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,具有较高的电流能力和高效能开关特性。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 100V,最大漏极电流(ID)为 4.3A,适用于需要高电流开关的低功率应用。它采用 Trench 技术,提供低导通电阻,能够在较低栅电压下保持高效的电流开关性能。其阈值电压(Vth)为 1.8V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 141mΩ,在 VGS=10V 时为 100mΩ。WST05N10-VB 是设计用于低功耗、高效能电源管理、负载开关、以及其他小型电流开关应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 20(±V) 1.8V 4.3A 100mΩ
详细参数说明:

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**:100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V:141mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V:100mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:4.3A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(适用于严苛环境)

领域和模块应用:

应用领域与模块举例:

1. **电源管理与DC-DC转换器**:
- WST05N10-VB 以其较低的导通电阻和高电流能力,非常适合应用于低功率的电源管理和 DC-DC 转换器中。在这些应用中,它能够高效地切换电流,减少能量损失,提升转换效率。特别适合用于便携式电子设备的电源模块、降压转换器等低功耗电源供应系统。

2. **负载开关和功率管理**:
- 在负载开关电路中,WST05N10-VB 提供较低的开关损耗和快速的响应时间,适合用于各种需要高效电流切换的应用,例如电池管理系统、电动工具、便携式设备和电力开关等。其高电流承载能力和低导通电阻使其在负载切换过程中减少功率损耗。

3. **电池管理系统(BMS)**:
- WST05N10-VB 可广泛用于电池管理系统中的充放电控制。由于其低导通电阻和高电流承载能力,它能够精确地控制电池的充电和放电过程,防止电池过充或过放电。特别是在便携式设备和电动工具中,能够有效提高电池的使用效率和系统的可靠性。

4. **小型家电和智能家居设备**:
- WST05N10-VB 适用于小型家电和智能家居设备中的电源管理模块。在这些应用中,由于该 MOSFET 的低 RDS(ON) 和高开关性能,它能够提供高效的电流控制,确保设备的长时间稳定运行。它特别适用于智能插座、LED 照明、智能温控器等低功率智能设备。

5. **电动工具和便携式电子设备**:
- 在电动工具(如无线电钻、电动螺丝刀等)和其他便携式电子设备中,WST05N10-VB 可用于电池管理和电力调节。其低导通电阻和较高的电流承载能力使其能够确保电池在高电流负载下的稳定性,同时减少能量损失,提高电池使用效率。

6. **消费类电子产品**:
- WST05N10-VB 也适用于各种消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、蓝牙音响等。在这些设备中,它能够提供高效的电源管理和开关控制,确保设备的高效能和低功耗运行,同时延长电池续航。

7. **低功率RF应用**:
- WST05N10-VB 可用于一些低功率 RF 应用中,例如 RF 开关和信号调节模块。在这些应用中,MOSFET 的快速开关性能和低功耗特性非常适合提高系统的效率,确保信号的稳定传输。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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