产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
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详细参数说明
- **型号**:WNM2306B-3 TR-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压 (VDS)**:20V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±12V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:6A
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **技术**:Trench
- **最大功率耗散**:0.5W
- **反向恢复特性**:内建反向二极管,适用于逆向电流保护电路
领域和模块应用:
适用领域和模块
1. **便携式电子设备电源管理**
**WNM2306B-3 TR-VB** 适用于 **便携式电子设备** 中的电源管理和开关控制应用,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。由于其低 **RDS(ON)**,该 MOSFET 能在这些设备的低功率电池供电环境中提供高效的电流传输,减少能量损耗,延长电池使用寿命。
2. **电池管理系统(BMS)**
在 **电池管理系统(BMS)** 中,**WNM2306B-3 TR-VB** 可用于 **电池保护电路**、**电池充电器** 和 **电池监控模块**。其 **低导通电阻** 和较快的开关响应使其在电池的充电和放电过程中提供高效的电流调节,确保电池在不同负载条件下的安全性和高效性,且降低热量生成。
3. **低功率DC-DC转换器**
这款 MOSFET 适用于 **低功率 DC-DC 转换器**,其高效的开关特性和低导通电阻使其在电压转换过程中减少损耗,提高整体转换效率。它尤其适合在低电压应用中作为开关组件,提供稳定的电流转换性能,保证设备的高效运行。
4. **电源开关与信号调节应用**
在低电压开关应用中,**WNM2306B-3 TR-VB** 可作为开关器件应用于 **电源开关**、**信号调节**、**LED 驱动** 和 **音频设备** 等模块。由于其低 **RDS(ON)** 和快速响应能力,它能够在频繁开关的电路中保证高效稳定的性能,减少能量损耗和提高响应速度。
5. **通信设备的开关控制**
在 **通信设备**,尤其是 **射频开关** 和 **调制解调器** 中,**WNM2306B-3 TR-VB** 是理想的 **低电压开关** 组件。其优异的开关特性和低导通电阻使其能够在频繁的开关操作中提供稳定性能,减少信号损耗,提高通信系统的可靠性和信号质量。
6. **消费电子产品中的低电压调节器**
由于其低 **Vth**(阈值电压),该 MOSFET 特别适用于需要低电压操作的 **消费电子产品** 中,如 **电视**、**音响设备** 等的电源调节和保护功能。在这些应用中,**WNM2306B-3 TR-VB** 可帮助降低电压波动,保证设备运行稳定,提升用户体验。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性