推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

WNM2027-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

WNM2027-3 TR-VB MOSFET 产品简介

WNM2027-3 TR-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,具有 20V 的漏源电压(VDS)和最大漏极电流(ID)为 6A。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有低导通电阻和较小的尺寸,适用于需要高效电流控制的小型电源和负载驱动应用。它的阈值电压(Vth)范围为 0.5V 至 1.5V,这使得它能够在较低的栅电压下就能开启,适合用于低电压驱动的电路。

该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))为 42mΩ 在 VGS=2.5V 时,以及 28mΩ 在 VGS=4.5V 时,具有非常低的电阻值,可以提供更高的效率和更低的功率损耗。适用于各种小功率开关、信号调节和电源管理应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
WNM2027-3 TR-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS=2.5V
- 28mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **技术**:Trench(Trench MOSFET 技术)
- **最大功率耗散**:1W(典型值)
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C
- **最大结温**:150°C
- **最大反向恢复时间**:<50ns
- **应用**:适用于低功率开关电源、负载驱动、信号调节等

领域和模块应用:

WNM2027-3 TR-VB MOSFET 应用领域及模块

1. **低功率开关电源(SMPS)**
WNM2027-3 TR-VB 在低功率开关电源(SMPS)中非常适用,特别是在需要较小尺寸、较低功率损耗的电源模块中。该 MOSFET 的低 RDS(ON) 特性可以降低开关损耗,使得电源效率更高,适合用于如手机充电器、可穿戴设备、家用电器等场景。

2. **电池管理与充电系统**
由于其较低的阈值电压(Vth)和良好的导电性能,WNM2027-3 TR-VB 非常适用于电池管理系统(BMS)和小型电池充电器。在电池充电过程中,低 RDS(ON) 可以减少功率损耗,延长电池的使用寿命并提高充电效率。

3. **小型电动工具**
在小型电动工具,如电动螺丝刀、手持吸尘器等设备中,WNM2027-3 TR-VB 可以用作驱动电路的开关元件。它的 6A 最大漏极电流(ID)和低 RDS(ON) 特性使其能够有效地驱动负载并减少能量损耗。

4. **信号调节与开关控制**
在信号调节和开关控制电路中,WNM2027-3 TR-VB 可用于快速切换和调节信号。在各种低功率模拟和数字电路中,它可以作为高效的开关元件,特别是在音频、视频、通信设备等需要精确开关控制的场景中。

5. **功率负载驱动**
WNM2027-3 TR-VB 可以应用于小型电机驱动和负载开关控制,尤其在电动玩具、电动门锁、自动化设备等低功率驱动系统中,能够提供稳定的电流控制和高效的功率传输。

6. **智能家居设备**
在智能家居设备中,例如智能灯光控制、智能插座等,WNM2027-3 TR-VB 可作为小型开关元件,用于控制家电的开关,优化功率传输和延长电池寿命。它的低导通电阻和低栅电压启动特性使其非常适合用于低功耗设备。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询