产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
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WNM2023-3 TR-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**:WNM2023-3 TR-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N-通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(V_DS)**:20V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±12V
- **栅极阈值电压(V_th)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 42mΩ @ V_GS = 2.5V
- 28mΩ @ V_GS = 4.5V
- **最大漏极电流(I_D)**:6A
- **功率耗散(P_D)**:约1.25W(基于封装和散热条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **技术**:Trench
- **封装类型**:SOT23-3
领域和模块应用:
WNM2023-3 TR-VB MOSFET 适用领域与模块举例
1. **低电压电源管理系统(Low Voltage Power Management Systems)**
WNM2023-3 TR-VB 特别适用于低电压电源转换和管理应用。它的低导通电阻使得在低电压驱动下也能提供高效的电流传输,广泛应用于移动设备的电池管理系统、便携式电子设备和微型电源模块。它能够有效地降低能量损耗并提高整体效率。
2. **通信模块与射频应用(Communication Modules & RF Applications)**
在移动通信模块中,WNM2023-3 TR-VB 可用于射频开关、电源调节和放大器驱动。由于其较低的导通电阻,MOSFET 可在高频下稳定工作,特别适用于智能手机、无线网络设备和射频应用中的电源管理。
3. **电池驱动的设备(Battery-Operated Devices)**
对于电池供电的设备,如无线传感器、便携式音响等,WNM2023-3 TR-VB 提供了高效的电源开关和稳压特性。其低栅源阈值电压和低导通电阻保证了低功耗和高效能,延长了电池使用时间。
4. **消费类电子产品(Consumer Electronics)**
该 MOSFET 广泛应用于消费类电子产品中,尤其是在需要小型化和高效率的电源管理模块中,如智能手表、可穿戴设备、便携充电宝等。WNM2023-3 TR-VB 的低功耗特性能够提升电子设备的续航表现。
5. **电动工具与家用电器(Power Tools & Home Appliances)**
在电动工具和一些家用电器中,WNM2023-3 TR-VB 作为开关元件,用于实现精确的电源管理。它可用于电动工具中的电池管理系统、高效驱动电机或作为转换器中的开关元件,提供低损耗的电能转换。
6. **LED驱动电路(LED Driver Circuits)**
由于其较低的导通电阻,WNM2023-3 TR-VB 适用于LED驱动电源。它可在LED灯具的电源模块中作为高效开关元件使用,保证稳定的电流供应,并降低功耗,延长LED灯具的使用寿命。
7. **汽车电子(Automotive Electronics)**
在汽车电子应用中,WNM2023-3 TR-VB 可以用于低电压电源模块、汽车传感器、车载通信设备等领域。其高效率和小封装特性使其特别适用于车载系统中的空间有限和高可靠性要求的电源管理模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性