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VS3640BC-VB 产品详细

产品简介:

1. **VS3640BC-VB 产品简介**

VS3640BC-VB 是一款单端 N-沟道 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,适合需要高效能、低功耗的应用场合。该器件具备极低的 R_DS(on),使得它在处理高电流和电压时具有出色的效率。它的最大漏源电压 (V_DS) 为 30V,栅源电压 (V_GS) 范围为 ±20V,漏电流(I_D)可达 6.5A。此 MOSFET 采用 Trench 技术制造,有助于提高其开关性能与热管理能力,非常适合用于便携式设备、电池供电系统、以及其他需要低电压驱动和高效功率管理的电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
2. **VS3640BC-VB 详细参数说明**

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单端 N-沟道 (Single N-Channel)
- **漏源电压 (V_DS)**: 30V(最大额定值)
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V(最大额定值)
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 1.7V(典型值)
- **R_DS(on)(在 V_GS = 4.5V 下)**: 33mΩ
- **R_DS(on)(在 V_GS = 10V 下)**: 30mΩ
- **漏电流 (I_D)**: 6.5A(最大额定值)
- **技术**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C(典型范围)
- **总功率耗散**: 2W(最大值)
- **导通电阻 (R_DS(on)) 特性**: 低导通电阻,有助于减少功率损耗,尤其在较高的工作电流下。
- **驱动电压**: 在 V_GS 为 10V 时,具备较低的 R_DS(on),优化了效率。

领域和模块应用:

3. **应用领域和模块示例**

- **消费电子产品**: VS3640BC-VB 由于其低 R_DS(on) 和小封装,适合用于小型消费电子设备中,例如智能手机、平板电脑和便携式音响。这些设备常常要求高效能的功率管理,以延长电池寿命,MOSFET 在电源管理电路中扮演着重要角色,帮助高效地转换电压并减少功耗。

- **电池供电系统**: 该 MOSFET 在电池驱动的应用中非常适用,特别是需要精确电源控制的应用,比如电动工具、电动自行车和其他便携式电池供电的设备。它的低导通电阻和高效性能有助于减少因高电流而带来的热量,提高系统的总体效率。

- **LED 驱动电路**: 由于其低 R_DS(on) 和高耐压能力,VS3640BC-VB 可以用于高效的 LED 驱动电路中,特别是在低电压工作环境下。MOSFET 能够提供稳定的开关性能和优良的电源管理,确保 LED 照明系统具有较长的使用寿命和较低的功耗。

- **DC-DC 转换器**: 作为高效的开关元件,VS3640BC-VB 适用于 DC-DC 转换器中,尤其是在低电压、高效率的场景下。它能够优化功率转换过程,提升整体系统的性能。尤其在使用较低电压的电源模块(如 5V 或 12V 电源转换器)时,能够提供低功率损耗和高效能。

- **自动化控制系统**: 在自动化控制系统中,VS3640BC-VB 可用作开关器件,控制电机驱动、执行器和其他负载。它的快速开关能力和较低的导通电阻使其在需要快速响应和低能耗的控制系统中表现出色。

这些应用展示了 VS3640BC-VB 在不同领域中的广泛适应性,特别是在需要小型、高效能电源管理和电流控制的场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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