产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
2. 详细的参数说明
| **参数** | **值** | **说明** |
|-------------------|-------------------------------------|----------------------------------------------------|
| **型号** | UT3N01ZG-AE2-R-VB | MOSFET型号 |
| **封装** | SOT23-3 | SOT23-3封装，适用于空间受限的小型电路设计 |
| **结构** | Single-N-Channel | 单N型MOSFET结构 |
| **VDS** | 60V | 漏极-源极最大电压 |
| **VGS** | ±20V | 栅极-源极最大电压 |
| **Vth** | 1.7V | 栅极阈值电压 |
| **RDS(ON)** | 3100mΩ@VGS=4.5V | 在VGS=4.5V时的导通电阻 |
| **RDS(ON)** | 2800mΩ@VGS=10V | 在VGS=10V时的导通电阻 |
| **ID** | 0.3A | 最大漏极电流 |
| **技术** | Trench | Trench技术，提供低导通电阻和高效的开关性能 |
领域和模块应用：
3. 应用领域与模块举例
**小功率开关电路：**
UT3N01ZG-AE2-R-VB 是一款适用于低功率开关电路的MOSFET。其小尺寸（SOT23-3封装）和较低的导通电阻，使其非常适用于小型开关电源、低功率LED驱动以及低功率电池驱动的应用。例如，在手持设备或低功率无线传感器中，它能够高效地开关负载，同时保持较低的热损耗。
**低电压控制系统：**
由于UT3N01ZG-AE2-R-VB的栅极阈值电压为1.7V，它能够在低电压下快速启动和关闭，适用于低电压控制系统。这种特性使得该MOSFET非常适合于需要低电压驱动的电路，例如低电压调节器和电池供电的应用。
**功率管理模块：**
在便携式电子设备、无线通信设备、传感器系统中，UT3N01ZG-AE2-R-VB可用于功率管理模块。这些模块通常要求高效的开关特性和低功耗，以延长电池寿命并确保系统稳定工作。例如，在低功耗的蓝牙设备和传感器中，UT3N01ZG-AE2-R-VB能够确保有效控制电池电流和电压。
**负载开关与电池保护：**
UT3N01ZG-AE2-R-VB可以在负载开关电路中使用，尤其是在低功耗系统中，它能够提供精确的电流控制和快速切换。此外，该MOSFET也适用于电池保护电路，尤其是在小型设备中，可以有效地控制电池的充电和放电过程，保护电池免受过载和短路的影响。
**便携设备和消费电子：**
此款MOSFET非常适用于消费类电子产品中的电源管理，例如移动电话、智能穿戴设备和便携式音响等。UT3N01ZG-AE2-R-VB能够在有限的空间内提供可靠的电流开关控制，同时保证电池使用时间和设备的高效能。
**嵌入式系统与微控制器接口：**
在嵌入式系统和微控制器接口中，UT3N01ZG-AE2-R-VB可以作为驱动元件或信号调节器，用于微型电机驱动、电池管理以及信号调理电路等应用。它能够在较低的电压和较小的电流下实现开关操作，适合各种紧凑型的电路设计。
综上所述，UT3N01ZG-AE2-R-VB凭借其小巧的封装、低导通电阻和高效能开关特性，广泛应用于各类低功耗、紧凑型电子设备及系统中，是理想的选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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