产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
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TSM2312CX-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型(Package)**:SOT23-3
- **配置(Configuration)**:单极 N-Channel
- **最大漏极-源极电压(V_DS)**:20V
- **最大栅极-源极电压(V_GS)**:±12V
- **导通电压阈值(V_th)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(R_DS(on))**:
- 42mΩ(在V_GS=2.5V时)
- 28mΩ(在V_GS=4.5V时)
- **最大漏极电流(I_D)**:6A
- **工艺技术(Technology)**:Trench
- **最大功率耗散(P_D)**:未提供
- **工作温度范围**:未提供
领域和模块应用:
TSM2312CX-VB MOSFET 应用领域与模块举例
1. **低电压电源管理(Low Voltage Power Management)**
TSM2312CX-VB 适用于低电压电源管理电路,如 DC-DC 转换器、LDO 稳压器等。在这些应用中,MOSFET 用于高效的电源转换,提供稳定的电压输出,并且能够处理较低电压的开关控制。其低导通电阻(R_DS(on))和较高的最大漏极电流能力使其非常适合低电压电源应用。
2. **负载开关(Load Switching)**
TSM2312CX-VB 是负载开关应用中的理想选择,能够在较低电压下高效地控制负载的开关。它能够快速切换高效地控制电流的传输,适用于低电流负载切换场合,如家电产品、消费电子设备等。在这些设备中,MOSFET 能提供稳定的开关操作,减少电流损耗,提高整体效率。
3. **功率管理和电池保护(Power Management & Battery Protection)**
在电池管理系统(BMS)中,TSM2312CX-VB 可用于电池开关和过电流保护电路。由于其 20V 的最大漏极-源极电压,适合应用于中低压的电池保护系统,保证电池在工作范围内安全高效运行。MOSFET 的低导通电阻确保在电池充放电时,系统能够维持较低的功耗。
4. **过电流保护(Overcurrent Protection)**
由于其较低的导通电阻和较高的漏极电流能力,TSM2312CX-VB 可用于过电流保护电路。在电流超过设定值时,MOSFET 会迅速断开电路,避免损坏敏感元件。适用于电源系统、电池保护和各类负载过电流保护电路。
5. **信号开关与调节(Signal Switching & Conditioning)**
TSM2312CX-VB 适合应用于信号开关电路,特别是低功率的信号处理和调节电路。其低栅电压下的启动特性使其适用于要求较低驱动电压的信号开关应用。此类应用包括音频信号开关、视频信号调节及小型传感器应用。
6. **便携设备中的电源控制(Power Control in Portable Devices)**
由于其小巧的封装(SOT23-3)和高效性能,TSM2312CX-VB 非常适合便携设备中的电源管理和控制。例如,在无线设备、移动电源、蓝牙设备等低功耗便携式电子设备中,它能够高效控制电源开关,延长电池寿命。
7. **LED 驱动与调光(LED Drivers & Dimming)**
TSM2312CX-VB 也适用于 LED 驱动和调光电路。它能够高效控制电流,并在驱动电路中提供精确的电流调节,从而提高 LED 照明系统的效率和稳定性。低导通电阻意味着较少的功率损失,适合高效能的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性