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TN2010T-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**TN2010T-T1-E3-VB** 是一款 **N 型沟道 MOSFET**,封装采用 **SOT23-3** 封装,具有 **200V** 的最大漏极源电压 (**VDS**) 和 **0.6A** 的最大漏极电流 (**ID**) 。该 MOSFET 采用 **Trench** 技术,具有较低的导通电阻 (**RDS(ON)**) 和优异的开关性能。其 **阈值电压 (Vth)** 为 **2.5V**,适用于低电压驱动的开关电源、负载开关和高效能电源管理应用。

该器件特别适用于要求较高工作电压(**200V**)和较低电流(**0.6A**)的应用场景,能够在较小封装中提供稳定的性能,适合用于空间有限且对电气特性要求较高的设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 型沟道 MOSFET
- **最大漏极源电压 (VDS)**:**200V**
- **栅极源电压 (VGS)**:**±20V**
- **阈值电压 (Vth)**:**2.5V**
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- **1400mΩ**(在 **VGS=10V** 时)
- **最大漏极电流 (ID)**:**0.6A**
- **技术类型**:Trench(沟槽型技术)
- **最大功率损耗**:依据工作条件计算
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大源漏电流**:**0.6A**

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领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **低功率电源管理(Low Power Power Management)**
由于其较低的最大漏极电流和较高的工作电压,**TN2010T-T1-E3-VB** 非常适合用于低功耗电源管理应用中。在 **DC-DC 转换器**、**负载开关** 和 **电池管理系统** 中,它可以作为电源调节和开关元件,帮助降低系统的功耗,提升电源效率。

2. **开关电源(Switching Power Supplies)**
由于其较低的导通电阻和稳定的开关性能,**TN2010T-T1-E3-VB** 在小型 **开关电源** 中得到了广泛应用。它可以用于 **升压、降压转换器** 中,作为开关元件处理较高的工作电压(**200V**),并提供平稳高效的电流转换。适合于 **功率小于 1W** 的电源设计,尤其适用于便携式设备和便捷型电池充电器。

3. **负载开关(Load Switching)**
在需要小封装、低电流控制的负载开关应用中,**TN2010T-T1-E3-VB** 提供了高效、可靠的开关性能。它适用于 **LED 驱动**、**电池电源系统** 中的负载开关模块,帮助控制和调节设备的电流流动。其低导通电阻使其在启用时效率较高,有助于提升整体系统效率。

4. **小型电动工具(Small Electric Tools)**
**TN2010T-T1-E3-VB** 的 **200V VDS** 特性,使其在小型 **电动工具**、**家用电器** 和 **便携式设备** 中成为理想选择。由于其紧凑的 **SOT23-3** 封装,它非常适合这些对空间有限制且需要较高电压的应用。

5. **信号开关(Signal Switching)**
由于其优秀的开关特性,**TN2010T-T1-E3-VB** 还可以应用于 **信号开关** 和 **模拟电路开关** 中。它能够在低功耗电路中控制信号路径,广泛应用于 **无线通信设备、传感器接口** 和 **音频设备** 的开关调节。

6. **汽车电子(Automotive Electronics)**
在 **汽车电子** 领域,尤其是在 **电池管理系统** 和 **车载电源管理** 系统中,**TN2010T-T1-E3-VB** 能够发挥重要作用。它可用于电压转换、电池充电管理等功能,支持车载电池的高效、稳定工作。

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总结而言,**TN2010T-T1-E3-VB** 适用于多个低功耗、高电压应用领域,如 **电源管理、负载开关、开关电源、信号控制等**。其 **200V** 的漏极源电压、较低的导通电阻和小型封装使其成为理想选择,尤其在要求高工作电压和低功率消耗的环境中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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