SW417J-VB - VBsemi MOS管制造商

SW417J-VB 产品详细

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产品简介：

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SW417J-VB是一款单P沟MOSFET，采用紧凑型SOT23-3封装，适合空间受限的应用场景。该MOSFET的漏源电压（VDS）为-30V，最大栅源电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为-1.7V。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V时为54mΩ，在VGS=10V时为46mΩ，具有较低的导通损耗和高效的功率传输能力。最大漏电流（ID）为-5.6A，适用于低功率、中等电流的开关电路。SW417J-VB采用Trench技术，具有优异的开关性能和低功耗特性，特别适合高频率和低电压的应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V	20（±V）	-1.7V	-5.6A			46mΩ

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- **封装**：SOT23-3
- **配置**：单P沟
- **VDS**：-30V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-1.7V
- **RDS(ON)**：
- VGS=4.5V时：54mΩ
- VGS=10V时：46mΩ
- **ID**：-5.6A
- **技术**：Trench技术

领域和模块应用：

SW417J-VB由于其低导通电阻和小封装特点，广泛应用于需要小型化和高效电力开关的电子设备中。它特别适合用于负载开关、低压DC-DC转换器、过压保护电路和电池管理系统中。在这些应用中，MOSFET能够有效控制负载电流，同时保证功率损耗最小。此外，SW417J-VB也适用于便携式设备、充电系统、电池保护模块及各种低功耗电路中，其紧凑的SOT23-3封装使其在尺寸受限的电路中表现出色，能够提供更好的空间利用率和热管理能力。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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