产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
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详细参数说明
| **参数** | **数值** | **说明** |
|----------------------|----------------------|------------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 | 适用于表面贴装,小型封装。 |
| **配置** | 单N沟道(Single-N-Channel) | 单N沟道配置,提供高效电流控制。 |
| **漏源电压(V_DS)** | 20V | 最大漏源电压为20V,适用于低电压电源应用。 |
| **栅源电压(V_GS)** | ±12V | 最大栅源电压,适合多种栅极驱动配置。 |
| **门槛电压(V_th)** | 0.5V~1.5V | 适合低电压驱动,提供更宽的操作范围。 |
| **导通电阻(R_DS(ON))** | 42mΩ@V_GS=2.5V | 在2.5V栅极电压下,导通电阻为42mΩ,适合低电压工作。 |
| **导通电阻(R_DS(ON))** | 28mΩ@V_GS=4.5V | 在4.5V栅极电压下,导通电阻为28mΩ,提供较低功耗。 |
| **漏电流(I_D)** | 6A | 最大漏电流为6A,适合小功率应用。 |
| **技术** | Trench | 采用Trench技术,确保低损耗和高效开关性能。 |
领域和模块应用:
适用领域和模块举例
1. **低功耗电源管理系统**
- **DC-DC转换器**:SW3416J-VB的低导通电阻和较高的漏电流能力使其非常适用于DC-DC转换器中,特别是用于提供低功耗、高效率的电源管理系统。例如,在电池供电设备中,该MOSFET能够帮助最大化电池的使用寿命,同时提供稳定的电源输出。
- **电源开关**:在低电压电源系统中,SW3416J-VB可用于电源开关或调节器的控制,帮助减少电源转换过程中的能量损失。
2. **移动设备和便携式电子产品**
- **电池管理系统**:SW3416J-VB的低门槛电压和较高的导通性能,使其成为便携式设备中理想的电池管理MOSFET。它可以用于电池充电和保护电路,确保电池以最优状态工作,并防止过电流或过电压损坏电池。
- **电池保护模块**:在小型电子产品中,SW3416J-VB能够有效地控制电流流动并提供可靠的保护,以确保设备电池的长期安全使用。
3. **LED驱动电路**
- **LED驱动器**:在LED照明和背光应用中,SW3416J-VB可用于驱动电路中,以确保电流的稳定供应。该MOSFET的低R_DS(ON)能够提高系统的工作效率,减少热量产生,并延长LED的使用寿命。
- **低功耗LED控制**:该MOSFET适用于需要高效率和精细电流控制的LED应用,尤其是在移动设备和小型显示器中。
4. **信号开关与负载开关**
- **低电压信号开关**:SW3416J-VB由于其低导通电阻和低门槛电压,非常适合用作信号开关或负载开关。例如,在传感器电路和信号处理中,它能够快速、准确地控制信号流动,而不引入过多的功率损耗。
- **小型负载开关**:该MOSFET也可用于一些低电压负载开关应用,特别是在功率管理和信号控制方面,适合需要低电流开关的小型负载。
5. **消费电子产品**
- **智能家居设备**:在智能家居设备中,SW3416J-VB可以用于小型电机控制和电源开关,提供稳定的电流供应和高效的开关性能。例如,它可以控制智能插座中的电流流动或调节电机的驱动。
- **移动充电设备**:在便携式充电器和移动电源中,该MOSFET能够确保低损耗、高效率的电流转换,提供快速、安全的充电体验。
SW3416J-VB作为一款小型、低电压、低功耗的MOSFET,广泛应用于各种低电压电源管理、电池保护、信号开关等领域,尤其适合便携式设备、LED驱动、信号调节和低功率开关电路的设计。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性