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SW2N7002-VB 产品详细

产品简介:

SW2N7002-VB 产品简介

SW2N7002-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单极 N 型 MOSFET,适用于低电流、高效率的开关应用。该器件的 V_DS 最大工作电压为 60V,V_GS 的最大门源电压为 20V(±V),具有低 R_DS(ON) 特性,分别在 V_GS=4.5V 和 V_GS=10V 时的导通电阻分别为 3100mΩ 和 2800mΩ。它的阈值电压(Vth)为 1.7V,额定漏极电流(I_D)为 0.3A,适用于需要较低功耗和高频响应的电路应用。采用 Trench 技术优化了其导电性能,使其具备较低的开关损耗和良好的热稳定性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
SW2N7002-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单极 N 型 MOSFET
- **V_DS(漏源电压)**: 60V
- **V_GS(门源电压)**: ±20V
- **V_th(阈值电压)**: 1.7V
- **R_DS(ON)(导通电阻)**:
- 3100mΩ @ V_GS=4.5V
- 2800mΩ @ V_GS=10V
- **I_D(漏极电流)**: 0.3A
- **技术**: Trench技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C

该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻和高效的电流传导能力,适用于低功率消耗和高开关频率应用。此外,其超低 R_DS(ON) 使其在低电压驱动下仍能保持较高的效率。

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **开关电源**
在开关电源模块中,SW2N7002-VB 作为高频开关元件,可以有效地进行电流的开关转换,尤其在低功率和小尺寸应用中表现出色。由于其低导通电阻,能够在较低的输入电压和工作频率下保持较高的转换效率。

2. **电池供电系统**
在电池驱动的电路中,特别是移动设备、便携式电子设备等,SW2N7002-VB 作为开关元件能够在确保长时间电池寿命的同时,提供高效的电流转换,减少不必要的能量损耗。

3. **电机驱动模块**
在小功率电机驱动模块中,SW2N7002-VB 能够在控制电流流动时减少能量消耗,优化驱动效率。其适用于需要快速切换的场合,特别是在低功耗电机和机器人控制应用中。

4. **过流保护电路**
在过流保护电路中,SW2N7002-VB 能够有效切断电流,防止过流损害电路。其低 R_DS(ON) 和快速响应特性使其在电源管理和保护电路中具有重要应用。

5. **LED驱动电源**
在LED驱动电源中,SW2N7002-VB 能够精确控制电流,保证LED在稳定的电流下工作,从而延长其使用寿命并提高系统的整体效率。

6. **智能传感器与控制系统**
在智能传感器及控制系统中,SW2N7002-VB 被用于信号放大、开关控制及电源管理等模块,满足低功耗和高响应速度的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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