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SMS2312-VB 产品详细

产品简介:

SMS2312-VB 产品简介

SMS2312-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的 N-Channel MOSFET,具有低导通电阻和较高的电流承载能力,特别适用于低电压和高效能应用。该 MOSFET 的耐压为 20V,漏极电流(I_D)为 6A,采用 Trench 技术以提供优秀的开关性能和低功率损耗。其导通电阻(R_DS(ON))在 V_GS = 4.5V 时为 28mΩ,能够有效降低功率损失并提高效率。SMS2312-VB 广泛应用于低电压、高效电源管理、负载开关、和小型电子设备等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
SMS2312-VB 详细参数说明

| **参数** | **数值** |
|------------------|------------------------|
| **型号** | SMS2312-VB |
| **封装类型** | SOT23-3 |
| **配置** | 单一 N 通道 |
| **V_DS** | 20V |
| **V_GS** | ±12V |
| **V_th** | 0.5V ~ 1.5V |
| **R_DS(ON)** | 42mΩ @ V_GS = 2.5V |
| **R_DS(ON)** | 28mΩ @ V_GS = 4.5V |
| **I_D** | 6A |
| **技术** | Trench |

- **V_DS(漏源电压)**: 20V,适合低电压应用,能有效承受小电压差异下的开关操作。
- **V_GS(门源电压)**: ±12V,保证MOSFET能在常见的电源控制电压下稳定工作。
- **V_th(门阈电压)**: 0.5V ~ 1.5V,低阈值电压使其能够在较低的控制电压下启动并工作。
- **R_DS(ON)(导通电阻)**: 42mΩ @ V_GS = 2.5V,28mΩ @ V_GS = 4.5V,提供低损耗的电流传输,确保更高的效率。
- **I_D(漏极电流)**: 6A,能够承载中等电流负载,适用于多种低电压应用。
- **技术**: Trench 技术,提供低导通电阻和出色的开关性能。

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **电池管理系统(BMS)**
- SMS2312-VB 适用于电池管理系统中作为电池充放电控制开关。它能够在较低的工作电压下进行开关控制,适合用于手持设备、可穿戴设备等电池供电系统中。MOSFET 的低导通电阻减少了热量积聚,提升了电池效率。

2. **低功率 DC-DC 转换器**
- 在低功率 DC-DC 转换器中,SMS2312-VB 可作为开关元件,提供高效的电能转换。其 6A 的漏极电流和低导通电阻非常适合用于高频切换,确保 DC-DC 转换器的高效能和较低的功耗。

3. **负载开关应用**
- 适用于负载开关电路,尤其是在需要低电压和高效率的负载开关系统中。SMS2312-VB 可用于各种小型家电、便携设备和低功率消费类电子产品中,确保负载切换稳定而且节能。

4. **LED 驱动电源**
- SMS2312-VB 也可以用于 LED 驱动电源中,作为开关元件控制电流流向 LED。由于其低导通电阻,它能够有效降低驱动电源的功率损耗,在保证高效能的同时延长 LED 的使用寿命。

5. **智能传感器系统**
- 该 MOSFET 也适合于智能传感器系统中的电源管理部分,特别是在低功率和高效能要求下。可以通过精确控制开关状态来调节传感器电路的功率消耗,从而延长设备的运行时间,适合如温度传感器、压力传感器等设备。

6. **便携式设备**
- 在便携式电子设备中,SMS2312-VB 作为开关元件可实现高效能的电源管理,适合用于智能手机、平板电脑、便携式音响等低功耗设备中。它能够确保设备在长时间使用中,尽可能减少能源消耗。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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