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SMG2392N-VB 产品详细

产品简介:

SMG2392N-VB MOSFET 产品简介

SMG2392N-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,具有较高的漏源电压 (V_DS) 和适中的电流承载能力,适用于中小功率的开关和控制应用。该 MOSFET 的最大漏源电压为 200V,栅源电压 (V_GS) 最大值为 ±20V,阈值电压 (V_th) 为 2.5V。在 V_GS = 10V 时,导通电阻 (R_DS(ON)) 为 1400mΩ,最大漏电流 (I_D) 为 0.6A。采用 Trench 技术,优化了开关性能,具有较低的开关损耗和较高的效率。SMG2392N-VB 适用于中等电压要求的应用,特别适合用于高效的低功率电源转换、负载开关、以及高压低电流电路中的功率控制。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
SMG2392N-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**:200V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:2.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:1400mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**:0.6A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **低功率 DC-DC 转换器**:
SMG2392N-VB 在 DC-DC 转换器中广泛应用,尤其适用于需要较高耐压的中小功率应用。由于其较高的漏源电压(200V),它可用于将较高电压转换为低电压的应用中。在这类转换器中,MOSFET 作为开关元件,可以有效降低开关损耗,提高转换效率,适用于小型电源适配器、电池供电设备以及一些通信设备的电源管理系统。

2. **负载开关与电源管理系统**:
该 MOSFET 适合用作低功率负载开关,在电池供电的设备中实现电源开关功能。它的低阈值电压和较低的栅源电压适合用作开关控制,尤其是在中低电流的电源管理模块中。可以用于便携式设备、电池管理系统(BMS)等,帮助提高系统的效率和安全性。

3. **高压低电流应用**:
SMG2392N-VB 的最大漏源电压为 200V,适用于一些高压低电流的应用场景。它能在高压环境下提供稳定的电流控制,尤其适用于如小型电机驱动、LED驱动等低功率电气系统。其稳定的开关性能和较低的导通电阻,使其在这些领域中表现出色。

4. **电池充电与保护电路**:
该 MOSFET 还可以用于电池充电与保护电路中,作为电池充电管理系统的一部分,控制电池的充电过程。SMG2392N-VB 具备良好的导通性能,能够提供稳定的电流输出,且具有较高的电压承载能力,适合用于在高压充电系统中的应用。

5. **传感器和执行器控制**:
在自动化控制和物联网设备中,SMG2392N-VB 可用于传感器和执行器控制,特别是在需要稳定电源控制的小型电气系统中。例如,在智能家居、汽车电子及工业自动化控制系统中,它能有效地控制低功率执行器或传感器模块,提供可靠的开关操作。

6. **小型电动机驱动**:
SMG2392N-VB 可用于小型电动机的驱动系统,尤其适合中等电压要求的电动机控制。它能够有效地控制电流并降低开关损耗,尤其适合小型家电、移动设备及电动工具的驱动系统。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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