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SM7002NSAN-VB 产品详细

产品简介:

SM7002NSAN-VB MOSFET 产品简介

SM7002NSAN-VB 是一款单极性 N 沟道 MOSFET,采用小型的 SOT23-3 封装,适用于低功耗电子设备的开关应用。该 MOSFET 具有 60V 的漏源电压(VDS),能够承受最大栅源电压(VGS)为 ±20V,门槛电压(Vth)为 1.7V。其导通电阻(RDS(ON))在栅源电压为 4.5V 时为 3100mΩ,在 10V 时为 2800mΩ,漏极电流(ID)最大为 0.3A。SM7002NSAN-VB 采用 Trench 技术,在低电流、低电压应用中能够提供稳定的开关性能和较低的导通损耗,适用于要求小型化、低功耗的电子系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
SM7002NSAN-VB MOSFET 参数说明

| **参数** | **值** |
|------------------------|--------------------|
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单极 N 沟道 (Single N-Channel) |
| **漏源电压(VDS)** | 60V |
| **栅源电压(VGS)** | ±20V |
| **门槛电压(Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=4.5V** | 3100mΩ |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V** | 2800mΩ |
| **最大漏极电流(ID)** | 0.3A |
| **技术** | Trench |

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **低功耗便携设备**
由于其小型封装(SOT23-3)和低漏极电流承载能力(0.3A),SM7002NSAN-VB 特别适用于低功耗便携式电子设备,如便携式音响、无线传感器、便携式电源管理系统等。MOSFET 的低导通电阻(RDS(ON))确保在低功率驱动情况下减少能量损失,提高整体效率。

2. **电池供电的电路应用**
SM7002NSAN-VB 适用于电池供电的应用,尤其是在智能设备、电池管理系统(BMS)和低电流传感器模块中。由于其低导通电阻,它能够优化电池的放电效率,减少电池的能量损耗,延长设备的使用时间。

3. **开关电源和电源管理系统**
在开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电源管理系统中,SM7002NSAN-VB 可以作为开关元件进行高效控制。它适用于低压、高频开关环境,通过有效的开关操作提高电源转换效率。该 MOSFET 的低导通电阻有助于在轻载条件下降低功耗,从而优化小型电源模块的整体性能。

4. **电动玩具与小型电动设备**
SM7002NSAN-VB 由于其小型封装和低电流能力,非常适用于小型电动玩具、电动模型车、电动工具和其他低功率电动设备的驱动系统。在这些应用中,它能够以较小的尺寸和较低的功耗提供稳定的开关性能,确保驱动电机或其他电动组件的正常工作。

5. **信号开关和逻辑电路**
该 MOSFET 适用于需要开关控制的信号处理电路,例如在逻辑电路中作为开关元素。其高频性能和小尺寸使其能够适应各种低功率、低电压的应用需求。可以在数字信号处理、传感器开关、信号传输等电路中使用。

6. **LED 驱动电路**
SM7002NSAN-VB 也可用于低功率 LED 驱动电路中,作为高效开关元件。在低电压 LED 照明应用中,MOSFET 可以有效地控制电流流向,保证 LED 的稳定发光,同时减少功率损耗。其低导通电阻在低电流条件下表现出色,确保 LED 驱动电路的高效能和稳定性。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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