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SM2319PSAN-VB 产品详细

产品简介:

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SM2319PSAN-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 P 型通道 MOSFET,设计用于低电压高效能的开关应用。其最大漏源电压(V_DS)为 -30V,适用于低电压电源管理系统。MOSFET 的最大漏极电流(I_D)为 -5.6A,并采用 Trench 技术,具有优异的导电性能。导通电阻(R_DS(ON))在 V_GS=10V 时为 46mΩ,在 V_GS=4.5V 时为 54mΩ,确保低功耗和高效率的工作。阈值电压(V_th)为 -1.7V,表明该器件可通过较低的栅电压驱动,从而在低电压应用中提供卓越的开关性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 P 型通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**: -30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: -1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 54mΩ@V_GS=4.5V
- 46mΩ@V_GS=10V
- **最大漏极电流 (I_D)**: -5.6A
- **技术**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **功率耗散 (P_d)**: 根据具体使用条件(可参考datasheet)

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源管理系统**
SM2319PSAN-VB 非常适合用于低电压的电源管理系统,例如 DC-DC 转换器、稳压电源等。它具有较低的导通电阻,可在高频率的开关操作中有效减少能量损耗,从而提高系统的整体效率。

2. **便携式设备与消费电子**
在便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,SM2319PSAN-VB 能够提供高效的电源切换,帮助提高电池寿命。其小巧的 SOT23-3 封装非常适合空间有限的应用。

3. **低功耗电池驱动系统**
由于该 MOSFET 的低导通电阻和较低的阈值电压,SM2319PSAN-VB 特别适合用于电池驱动的系统,如手持设备、电动工具、无人机等。这些设备要求高效的电池管理和电源控制,SM2319PSAN-VB 在这些应用中能够显著降低功耗。

4. **开关电源与LED驱动电路**
在 LED 驱动电路和开关电源模块中,SM2319PSAN-VB 作为开关器件,能够高效地控制电流流向,并有效降低电源损耗。其低导通电阻确保了高效的电流控制,尤其适合需要精确电流调节的应用。

5. **电动汽车电子**
在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)中,SM2319PSAN-VB 可用于电池开关、充电和放电控制电路。该 MOSFET 能够在高效能和低功耗的要求下工作,提供稳定的电源管理。

6. **消费类智能硬件**
SM2319PSAN-VB 适用于各类消费类智能硬件,例如智能家居设备、传感器模块等。这些设备通常需要低电压、低功耗和小尺寸的 MOSFET 进行电源调节和开关控制。

总的来说,SM2319PSAN-VB 因其低导通电阻和优异的开关性能,在多种低功耗应用中具有广泛的适用性,特别适合用于电源管理、电池驱动系统和消费电子产品。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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