推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

Si2372DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

Si2372DS-T1-GE3-VB MOSFET 产品简介

Si2372DS-T1-GE3-VB 是一款由 **Vishay** 生产的单极性 N-通道 MOSFET,采用 **SOT23-3** 封装。其设计用于低电压和高效率的电源管理应用,适用于多种低功耗系统。该 MOSFET 的漏极-源极电压(V_DS)为 30V,栅极-源极电压(V_GS)为 ±20V,栅极阈值电压(V_th)为 1.7V,能够在较低栅压下开关,实现高效的能量传输。凭借其低 R_DS(ON) 值(30mΩ),该 MOSFET 在高电流下具有极低的导通损耗,因此非常适合用于需要高效功率转换和开关控制的应用中。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
Si2372DS-T1-GE3-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单极 N-通道 MOSFET
- **漏极-源极电压 (V_DS)**:30V
- **栅极-源极电压 (V_GS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (V_th)**:1.7V
- **通道电阻 (R_DS(ON))**:
- 33mΩ(在 V_GS=4.5V 时)
- 30mΩ(在 V_GS=10V 时)
- **最大漏极电流 (I_D)**:6.5A
- **技术**:Trench
- **应用**:适用于高效电源开关、低功耗电路、负载开关等。

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **低功耗电源开关**:
Si2372DS-T1-GE3-VB 具有低导通电阻和高电流承载能力,适合用于低功耗电源系统中的开关应用,如手机充电器、平板电源、便携设备的电池管理等。它能够有效地减少电源转换中的能量损失,提升整体系统的效率。

2. **DC-DC 转换器**:
该 MOSFET 的低 R_DS(ON) 特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器中,特别是在降压型(Buck)和升压型(Boost)电源转换器中。它能显著降低转换过程中的功耗,提高系统的总体效率,特别是在要求高电流和高转换效率的应用中。

3. **负载开关控制**:
由于其优越的导电性能和高电流能力,Si2372DS-T1-GE3-VB 可用于各种负载开关控制电路中,适用于如 LED 驱动、电动机控制、电子开关以及无线设备的负载开关应用,能够有效实现电源切换和负载管理。

4. **电池管理系统**:
该 MOSFET 适用于电池管理系统,特别是在移动设备、电动工具和智能家居设备中的电池保护电路中。Si2372DS-T1-GE3-VB 能够精确控制电池的充放电过程,保护电池免受过充、过放和过流等问题的影响。

5. **智能设备和嵌入式系统**:
Si2372DS-T1-GE3-VB 的高效能使其成为许多智能设备和嵌入式系统中不可或缺的组件,尤其是那些需要低电压驱动和高效率开关控制的应用。这包括物联网设备、传感器模块和可穿戴设备等。

6. **高效功率转换模块**:
在需要高效率功率转换的应用中,Si2372DS-T1-GE3-VB 的高电流能力和低 R_DS(ON) 能够显著提高系统的工作效率,特别是在功率密集型的模块中,如电动汽车充电模块、太阳能逆变器和其他可再生能源系统。

Si2372DS-T1-GE3-VB 是一款高效能的 N-通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流能力和广泛的应用场景,成为低功耗系统、功率转换和电源管理中理想的开关元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询

查询相关型号报价

怎么申请免费打样

现在有优惠活动么