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SI2327DS-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

SI2327DS-T1-E3-VB 产品简介

**SI2327DS-T1-E3-VB** 是一款采用 **SOT23-3** 封装的单路 P-沟道 MOSFET,专为高压应用设计,具有极低的导通电阻和高耐压特性。该 MOSFET 支持 **-200V** 的漏源电压和最大 **-0.8A** 的漏极电流,适用于各种高电压开关应用。其 **Trench** 技术在提高开关效率的同时,减少了导通损耗,特别适合用于电源管理、负载开关和其他要求高耐压的电路。该器件在低栅源电压下表现优异,提供了优良的导电性能,广泛用于电源转换器、逆变器和高效能电源模块中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -200V 20(±V) -3V -0.8A 800mΩ
SI2327DS-T1-E3-VB 详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单 P-沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:-200V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅源开启电压 (Vth)**:-3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS = 4.5V
- 800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:-0.8A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

SI2327DS-T1-E3-VB 应用领域和模块

1. **高压电源开关**:该 MOSFET 适用于高压电源开关应用,尤其是在负载开关和电池保护电路中。其 **-200V** 的耐压能力使其能够处理高电压电源,保证电源模块的稳定运行。
- **示例**:在高压 DC-DC 转换器中,作为负载开关控制电路,能够高效地进行电源转换,同时保持低导通损耗。

2. **电池管理系统 (BMS)**:由于其高耐压和低导通电阻,SI2327DS-T1-E3-VB 适合用于电池管理系统中的开关电路。特别是在需要高电压切换的电池保护和充电管理模块中,它能够有效控制电池的充放电过程,保证系统的安全性和稳定性。
- **示例**:用于电动车或储能系统的电池管理模块中,调节电池电压和电流,保护电池免受过电压或过电流损害。

3. **逆变器和电源转换器**:该 MOSFET 可以应用于高压逆变器中,尤其是在太阳能逆变器、UPS 电源和其他电源转换设备中。其低导通电阻和高耐压能力使其成为实现高效率能量转换的理想选择。
- **示例**:在太阳能逆变器中,控制逆变器的开关动作,提高能源转换效率,降低热损耗。

4. **负载切换与电源保护**:P-沟道 MOSFET 通常用于高侧开关,SI2327DS-T1-E3-VB 在这一应用中尤为突出。它能有效地控制负载开关,确保电路中不发生电压反转等问题,特别适用于电源管理中的高侧负载切换。
- **示例**:在电源管理模块中,通过控制高侧负载开关,保护下游电路免受过电压影响,同时提高系统的安全性。

5. **高电压开关电路**:该 MOSFET 可用于各种高电压开关电路中,适合用于工业设备或家电产品中,控制高电压信号的传输,降低系统损耗。
- **示例**:在家电产品的电源模块中,作为高侧开关控制电流的流向,确保设备稳定运行并避免因过载导致的损坏。

总结来说,**SI2327DS-T1-E3-VB** 具有高耐压(-200V)、低导通电阻和高效能开关性能,非常适合在高电压电源管理、电池保护、负载切换、电源转换等领域中应用。其在这些应用中的表现,不仅能够提高系统效率,还能有效延长产品的使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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