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SI2309DS-VB 产品详细

产品简介:

SI2309DS-VB MOSFET 产品简介

SI2309DS-VB 是一款 **Vishay** 生产的单极性 P-通道 MOSFET,采用 **SOT23-3** 封装,专为低电压应用设计。其漏极-源极电压(V_DS)额定为 -60V,栅极阈值电压(V_th)为 -1.7V,适用于电源开关、功率控制和负载开关等多个领域。该MOSFET采用**Trench** 技术,具有较低的导通电阻(R_DS(ON)),提供高效能并降低开关损耗,非常适合应用于高效能电源管理和低功耗电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -60V 20(±V) -1.7V -5.2A 50mΩ
SI2309DS-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单极 P-通道 MOSFET
- **漏极-源极电压 (V_DS)**:-60V
- **栅极-源极电压 (V_GS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (V_th)**:-1.7V
- **通道电阻 (R_DS(ON))**:
- 52mΩ(在 V_GS=4.5V 时)
- 50mΩ(在 V_GS=10V 时)
- **最大漏极电流 (I_D)**:-5.2A
- **技术**:Trench
- **应用**:适用于低电压电源开关、功率管理电路等。

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **电源开关**:
SI2309DS-VB 的低导通电阻和较高的最大漏极电流使其非常适合在电源管理系统中作为开关元件应用,尤其是在低功耗设备如电池驱动的便携设备、智能手机和无线设备的电源电路中。

2. **负载开关应用**:
该MOSFET具有良好的负载开关性能,能够控制设备中的电流流动,适用于控制电流较小的负载,如LED灯具、传感器和小型电机驱动。

3. **DC-DC 转换器**:
由于其低 R_DS(ON) 值,SI2309DS-VB 可以应用于降压型(Buck)和升压型(Boost)DC-DC 转换器中,帮助提高电源转换效率,减少能量损失,在高效能电源模块中扮演关键角色。

4. **电池管理系统**:
在电池管理系统中,该MOSFET能够精确控制电池的充放电过程,并提供良好的电流开关功能,广泛应用于电池保护电路和电池电压调节系统,提升电池使用效率并延长其使用寿命。

5. **低功耗设备**:
由于其低栅极电压阈值和高效能,SI2309DS-VB 适用于各种低功耗电子设备,如低功耗通信模块、可穿戴设备和传感器节点等。它能够有效地管理电源,保证设备在长时间运行中的稳定性。

6. **负载切换与自动电源管理**:
该 MOSFET 在低电压系统中非常适合用作自动电源管理和负载切换的开关元件,可以在许多嵌入式设备中进行动态电源管理,最大限度地提高系统效率和电池寿命。

SI2309DS-VB 的优势在于其低 R_DS(ON),高漏极电流能力,以及低电压驱动特性,使其成为高效能电源系统、负载管理和低功耗电子设备中理想的选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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