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SI2307DS-VB 产品详细

产品简介:

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**SI2307DS-VB** 是一款基于 Trench 技术的单极性 P 型 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,具有高效的电气性能和优异的热管理特性。该器件具有-30V 的最大漏极-源极电压、-5.6A 的最大漏极电流,并提供低导通电阻,适用于各种低功耗应用,如电源管理、负载开关、过压保护等领域。其高可靠性、低导通损耗以及快速开关特性使其在许多便携式设备和消费类电子产品中具有广泛应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明:
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单极性 P 型 MOSFET
- **最大漏极-源极电压(VDS)**:-30V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:-5.6A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

典型应用领域与模块:

1. **电池管理与低功耗电源设计**:
SI2307DS-VB 适用于便携式电池供电设备中的电源管理系统。其低导通电阻和较小的封装使其在要求低功耗和高效电源切换的应用中非常有价值,例如智能手机、可穿戴设备、电池管理系统(BMS)等。该 MOSFET 在电池充电、断电保护等环节中,提供快速可靠的开关性能,从而延长电池寿命并提高整体能效。

2. **负载开关和电源路径控制**:
作为一个高效的 P 型 MOSFET,SI2307DS-VB 非常适合用于负载开关和电源路径控制模块。在这些应用中,MOSFET 的低导通电阻确保了高效的电流传输,同时能够在低压和低功耗条件下运行。这种MOSFET可以在便携式电源管理、USB 供电系统、移动设备的电源路径切换等领域中找到应用。

3. **过压/过流保护**:
在电源保护电路中,SI2307DS-VB 的 P 型结构使其非常适合用于过压或过流保护应用。当电源电压超出预设范围时,它能够快速切断电路,以保护设备免受损坏。例如,它可以用于电源适配器中的过压保护电路,以确保电子设备免受高电压损害。

4. **DC-DC 转换器**:
SI2307DS-VB 可作为开关元件使用,在低压 DC-DC 转换器模块中发挥作用,尤其是在要求小封装和高效能的应用中。其低导通电阻在提升效率和减小热量方面具有显著优势,适用于手机充电器、便携式电源、以及嵌入式系统等高效电压转换应用。

5. **通信设备和嵌入式系统**:
在嵌入式系统中,SI2307DS-VB 也广泛应用于电源开关、信号放大等模块。它可以在低电压电源系统中发挥重要作用,帮助提高整体系统的效率,并降低能耗。由于其较低的导通电阻,SI2307DS-VB 能够帮助系统减少功率损失,提高系统性能。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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