产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20(±V) |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
**
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单极 N 型 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3100mΩ(在 VGS = 4.5V 时)
- 2800mΩ(在 VGS = 10V 时)
- **漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术**:Trench
- **最大功耗**:由导通电阻和电流承载能力决定,适合低功耗的应用
- **工作温度范围**:通常为 -55°C 至 +150°C
- **特性**:低电流开关、低导通电阻,适用于低功率、高频应用
**RYC002N05T316-VB MOSFET 的
领域和模块应用:
示例**
1. **低功率开关电源**:由于其较低的导通电阻和低电流承载能力,RYC002N05T316-VB 非常适合应用于低功率的 DC-DC 转换器和开关电源中,特别是用于电池供电的设备和低电压供电的电子模块,例如便携式电源设备、移动充电器和一些低功耗的嵌入式系统。
2. **移动设备与便携式电子产品**:在移动设备(如智能手表、蓝牙耳机、便携式音响等)中,RYC002N05T316-VB 能够提供高效的开关控制,帮助降低功耗并延长电池寿命。由于其小型封装和低电流特性,它特别适合于尺寸受限的消费类电子产品。
3. **电池管理系统(BMS)**:该 MOSFET 可以应用于低功率的电池管理系统中,尤其是在电池保护、充放电控制等功能模块中。其较低的导通电阻和适度的电流承载能力有助于提高整个电池管理系统的效率,减少功率损耗。
4. **家用小电器和智能家居**:在家用小电器和智能家居系统中,RYC002N05T316-VB 可用于小功率设备的开关控制,如智能灯泡、智能插座、无线传感器等。这些设备通常要求低功耗和高效的电流开关控制,尤其在待机模式下,MOSFET 能够帮助降低能耗。
5. **传感器与低功耗控制模块**:RYC002N05T316-VB 适用于低功耗传感器和控制模块中。例如,它可以用于温度传感器、压力传感器等模块的功率管理和开关控制,这些模块通常要求较小的功耗并具有较长的使用寿命。
6. **LED 驱动电路**:在低功率的 LED 驱动电路中,RYC002N05T316-VB 可用于电流调节,确保 LED 的稳定运行。由于其低导通电阻和适合的电流控制能力,这款 MOSFET 可以提高驱动电路的效率并减少热量产生。
综上所述,RYC002N05T316-VB MOSFET 由于其小型封装、低电流承载能力和良好的开关性能,广泛适用于低功率开关电源、移动设备、家电、传感器控制和 LED 驱动等多种应用。它特别适合需要低电流、低功耗和高效率的场景,能够在多种电子产品中提供出色的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性