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RQK2501YGDQATL-E-VB 产品详细

产品简介:

RQK2501YGDQATL-E-VB 产品简介

RQK2501YGDQATL-E-VB 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,专为高电压和小功率应用设计。该 MOSFET 的漏极源电压(VDS)可高达 200V,支持 ±20V 的栅极源电压(VGS)。其栅阈值电压(Vth)为 2.5V,确保能够在较低的栅电压下可靠开启。导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 1400mΩ,最大漏极电流(ID)为 0.6A。RQK2501YGDQATL-E-VB 采用 Trench 技术,具有良好的热性能和电气特性,适用于多种电子设备的设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
详细参数说明

- **型号**: RQK2501YGDQATL-E-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极源电压 (VDS)**: 200V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

RQK2501YGDQATL-E-VB MOSFET 在多个领域和模块中的应用包括:

1. **电源管理**: 在高压电源转换和稳压电路中,RQK2501YGDQATL-E-VB 可有效控制电流和电压,适用于开关电源、DC-DC 转换器等应用。
2. **LED 驱动**: 在 LED 照明系统中,该 MOSFET 可作为高效驱动元件,支持高电压下的 LED 运行,确保稳定的照明效果。
3. **电机控制**: 在电机驱动电路中,RQK2501YGDQATL-E-VB 可以用于小型电机的开关控制,广泛应用于家电和自动化设备。
4. **信号开关**: 作为信号切换元件,适用于各种音频和视频设备,能够有效管理信号的传输与开关。
5. **便携设备**: 在电池供电的移动设备中,可作为负载开关,优化电源管理,提高整体能效。

凭借其优越的电气性能和紧凑的封装设计,RQK2501YGDQATL-E-VB 是现代高效电子设备中的理想选择,能够满足多种应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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