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RQK2001HQDQATL-E-VB 产品详细

产品简介:

RQK2001HQDQATL-E-VB 产品简介

RQK2001HQDQATL-E-VB 是一款高效能的单N通道 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,专为高压应用设计。该器件的最大漏极-源电压为200V,最大漏极电流为0.6A,具有良好的开关性能和相对较低的导通电阻。凭借其出色的性能,RQK2001HQDQATL-E-VB 非常适合用于要求高效率和小型化设计的电力电子系统,尤其是在开关电源和低功耗应用中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
详细参数说明

- **型号**: RQK2001HQDQATL-E-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极-源电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅极-源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1400mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **开关电源**: RQK2001HQDQATL-E-VB 常用于开关电源设计中,能够在高压条件下高效地转换电能,减少能量损耗。

2. **LED驱动**: 在LED照明应用中,该MOSFET能够提供稳定的电流控制,确保LED的亮度和效率,适合用于小型LED驱动电路。

3. **便携式电子设备**: 由于其小型化设计,该器件非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理模块,帮助延长电池使用时间。

4. **电池管理系统**: RQK2001HQDQATL-E-VB 可以在电池管理和充电系统中用作开关元件,确保安全高效的充电过程。

5. **消费电子**: 该MOSFET在各种消费电子产品中表现出色,适用于低功耗应用,帮助提高整体性能和可靠性。

通过这些应用示例,RQK2001HQDQATL-E-VB 展示了其在高压低功耗电力电子领域的广泛适用性和重要性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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