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NDS356AP-VB 产品详细

产品简介:

一、NDS356AP-VB 产品简介
NDS356AP-VB 是一款 **单 P 沟道 MOSFET**,采用紧凑型 **SOT23-3** 封装,非常适合空间受限的电子设计应用。该器件的最大 **漏源极电压 (VDS)** 为 **-30V**,栅源极电压 (VGS) 额定为 **±20V**,适用于低压控制电路和负载开关。NDS356AP-VB 具有 **导通阈值电压 (Vth)** 为 **-1.7V**,能在较低的栅极电压下导通,导通电阻 (RDS(ON)) 在 **VGS=4.5V** 时为 **54mΩ**,在 **VGS=10V** 时为 **46mΩ**,展现出低导通损耗的特点。其最大漏极电流为 **-5.6A**,并且采用 **Trench (沟槽) 技术**,具有优异的导电性能和热稳定性,适用于电源管理和负载控制等模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
二、详细参数说明
| **参数名称** | **规格** | **说明** |
|--------------------|-----------------------------|------------------------------------------|
| **型号** | NDS356AP-VB | |
| **封装类型** | SOT23-3 | 小型封装,适合紧凑型设计 |
| **配置** | 单 P 沟道 | P 沟道 MOSFET,适合负载开关应用 |
| **漏源极电压 (VDS)** | -30V | 最大漏极-源极电压 |
| **栅源极电压 (VGS)** | ±20V | 最大栅极电压,确保可靠的栅极驱动 |
| **导通阈值电压 (Vth)** | -1.7V | 从关闭到导通的最小栅极电压 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 54mΩ @ VGS=4.5V | 较低的导通损耗,有效降低热量积聚 |
| | 46mΩ @ VGS=10V | |
| **漏极电流 (ID)** | -5.6A | 最大连续电流能力,适合负载控制应用 |
| **技术** | 沟槽 (Trench) | 提高了器件的导电性能和热管理性能 |

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领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例
1. **负载开关控制**:
NDS356AP-VB 非常适合在 **便携式设备**(如智能手机、平板电脑)中用作负载开关。这款 P 沟道 MOSFET 能在低功耗条件下轻松驱动多种负载,实现高效的电能管理,延长电池续航时间。

2. **电源管理模块 (PMIC)**:
该器件在 **DC-DC 降压转换器** 和 **LDO 稳压器** 中表现出色,能够用于电源轨之间的切换,实现低功耗待机模式。其低导通电阻和紧凑封装使其成为小型电源管理系统的理想选择。

3. **锂电池保护电路**:
在 **锂离子电池管理系统** 中,NDS356AP-VB 可以用于控制电池充放电路径,防止过充或过放,从而提高电池的安全性和寿命。

4. **消费电子产品**:
该 MOSFET 常用于 **音频放大器** 和 **家用电器** 中的电源管理电路,确保设备的高效运行和快速切换。此外,它还适用于 **显示屏驱动器** 和 LED 背光控制模块。

5. **自动化和工业控制**:
在工业自动化领域,NDS356AP-VB 可用于低压继电器控制或传感器驱动电路,其紧凑的 SOT23-3 封装和出色的性能适合于模块化控制系统。

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NDS356AP-VB 结合了优良的电气性能和小型封装,非常适用于需要高效率和低功耗的电子设备,特别是在空间有限的应用中。其广泛的应用领域和可靠的表现使其成为现代电子设计中的热门选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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