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NCE3415A-VB 产品详细

产品简介:

NCE3415A-VB 产品简介

NCE3415A-VB 是一款高性能的单P沟道功率MOSFET,采用紧凑型SOT23-3封装设计,专为中低电压应用和高电流条件下的工作而优化。该器件的最大漏源电压(VDS)为-30V,能够支持±20V的栅源电压(VGS),并具有阈值电压(Vth)为-1.7V,确保快速的开关响应。NCE3415A-VB 在VGS为4.5V时的导通电阻(RDS(ON))为54mΩ,而在VGS为10V时则降低至46mΩ,这使其能够承载高达-5.6A的连续漏电流(ID)。该MOSFET采用先进的Trench技术,提供优异的开关性能和热稳定性,广泛应用于各类电子设备的电源管理和驱动电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明

- **型号**: NCE3415A-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单P通道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: -5.6A
- **最大功耗 (Ptot)**: 适合中等功率应用
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域与模块

NCE3415A-VB 在多个领域和模块中展现出卓越的性能,主要应用包括:

1. **电源管理系统**: NCE3415A-VB 特别适合用于开关电源和DC-DC转换器,在电力转换过程中能够实现高效率,降低整体功耗,广泛应用于消费电子、家用电器和工业设备中。

2. **充电器**: 该MOSFET 的低导通电阻使其在充电器和适配器中表现出色,能够有效控制充电电流,确保充电过程的稳定性和安全性。

3. **LED照明驱动**: NCE3415A-VB 可用于LED驱动电路,提供稳定的电流输出,确保LED照明的亮度均匀性和延长其使用寿命。

4. **电机控制**: 在电动机驱动系统中,该MOSFET 适合用作开关元件,能够实现精确的电流控制和调速功能,广泛应用于家用电器和工业自动化设备。

5. **高频开关电路**: NCE3415A-VB 的快速开关特性使其适合高频开关应用,如射频放大器和其他通信设备,能够提高系统的整体性能和可靠性。

通过其卓越的性能,NCE3415A-VB 成为中低电压和高电流应用中的理想选择,满足多种电源管理和驱动需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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