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MVBF170LT1G-VB 产品详细

产品简介:

一、MVBF170LT1G-VB 产品简介
MVBF170LT1G-VB 是一款高性能的**单 N 沟道 MOSFET**,采用 **SOT23-3** 封装,专为低电压和低功耗应用设计。该器件的**漏源电压(VDS)**额定值为 **60V**,在较高的电压下依然能保持稳定的工作性能。MVBF170LT1G-VB 的**开启阈值电压(Vth)**为 **1.7V**,使其能够在较低的栅极电压下快速导通,提高开关响应速度。器件在 **VGS=10V** 时具有 **2800mΩ** 的导通电阻,这一低导通电阻设计能够有效降低能量损耗,确保高效能运行。其最大漏极电流为 **0.3A**,非常适合用于低功耗设备。该 MOSFET 使用**沟槽工艺(Trench Technology)**制造,具备优异的开关特性,是在空间受限和功率需求较低的应用中的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、MVBF170LT1G-VB 详细参数说明

| **参数** | **符号** | **数值** | **单位** | **说明** |
|---------------------|--------------|----------------------------|------------------|-----------------------------------|
| **Drain-Source 电压** | VDS | 60 | V | 漏源之间的最大耐压 |
| **Gate-Source 电压** | VGS | ±20 | V | 栅源之间的最大额定电压 |
| **开启阈值电压** | Vth | 1.7 | V | MOSFET 开启所需的栅极电压 |
| **导通电阻** | RDS(on) | 3100 (VGS=4.5V) | mΩ | 漏源通路的电阻值 |
| | RDS(on) | 2800 (VGS=10V) | mΩ | 漏源通路的电阻值 |
| **连续漏极电流** | ID | 0.3 | A | 允许的最大连续漏极电流 |
| **技术工艺** | - | 沟槽工艺 (Trench) | - | 提供高效的开关性能与热管理 |
| **封装** | - | SOT23-3 | - | 适合空间受限应用的封装设计 |

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领域和模块应用:

三、应用领域与模块示例

1. **移动设备**
MVBF170LT1G-VB 适用于智能手机、平板电脑等移动设备中的电源管理和开关电路,其小巧的 SOT23-3 封装非常适合空间有限的应用场景。

2. **LED 驱动电路**
该 MOSFET 适合用于 LED 驱动电路中,能够提供高效的电流控制,确保 LED 在不同工作条件下的稳定性和可靠性。

3. **电源管理模块**
在 DC-DC 转换器和其他电源管理模块中,MVBF170LT1G-VB 能够有效地实现电压转换和电流控制,满足低功耗电源的需求。

4. **家电产品**
该器件在小型家电中的应用也非常广泛,如电动工具、微波炉等设备,能有效控制电源的开关和调节。

5. **传感器电路**
在各类传感器电路中,MVBF170LT1G-VB 可以用于信号放大和开关控制,支持各种自动化和智能家居应用。

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MVBF170LT1G-VB 的高效率、低导通损耗以及紧凑的封装设计,使其在各类电子产品和电源管理系统中具备广泛的应用潜力。该 MOSFET 的特性非常适合现代低功耗设备的需求,能够帮助设计师在提高效率的同时优化空间利用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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