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MTNK2N3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**MTNK2N3-VB**是一款小型N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低功耗和小型电子设备设计。该器件最大漏源电压(VDS)为60V,适用于中等电压的应用。栅源电压(VGS)范围为±20V,确保与各种驱动电路兼容。其阈值电压(Vth)为1.7V,使其在较低电压下就能有效导通。导通电阻(RDS(ON))为3100mΩ(@ VGS=4.5V)和2800mΩ(@ VGS=10V),最大漏极电流(ID)为0.3A。MTNK2N3-VB采用Trench技术,提供良好的开关性能和能量效率,适合在空间受限的应用中使用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

| **参数** | **值** |
|-------------------------|------------------|
| **型号** | MTNK2N3-VB |
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏源电压(VDS)** | 60V |
| **栅源电压(VGS)** | ±20V |
| **阈值电压(Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 3100mΩ @ VGS=4.5V, 2800mΩ @ VGS=10V |
| **漏极电流(ID)** | 0.3A |
| **技术** | Trench |

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领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **便携式电子设备**
MTNK2N3-VB因其小型化和低功耗特性,广泛应用于手机、平板电脑和可穿戴设备等便携式电子产品中。其较低的导通电阻能够有效减少功耗,延长电池寿命。

2. **LED驱动电路**
该MOSFET可用于LED照明设备中的驱动电路,能够高效地控制LED的开关,保证照明效果和能效,适合在家庭和商业照明系统中使用。

3. **电源管理**
在电源管理模块中,MTNK2N3-VB可用于开关电源、DC-DC转换器和充电器等应用。它能够提供稳定的电压和电流,确保系统的可靠性和效率。

4. **工业控制系统**
该器件还可应用于小型工业设备和自动化控制系统中,如传感器驱动和马达控制。其良好的开关性能使其适合用于快速切换和精确控制的场合。

5. **计算机外围设备**
在计算机外围设备中,MTNK2N3-VB可用于电源开关和负载开关,例如在打印机和外接硬盘中,实现高效的电源管理,确保设备的稳定运行。

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综上所述,**MTNK2N3-VB**是一款性能出色的N沟道MOSFET,适合在便携式电子设备、LED驱动、电源管理、工业控制和计算机外围设备等多个领域使用。其小型化设计和高效能使其成为现代电子产品中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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