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MTNK1N3-VB 产品详细

产品简介:

一、MTNK1N3-VB 产品简介

MTNK1N3-VB 是一款 **单 N 沟道功率 MOSFET**,其封装类型为 **SOT23-3**,非常适合空间受限的应用。该器件的最大漏源极电压(**VDS**)为 60V,栅源极电压(**VGS**)范围为 ±20V,能够在多种工作条件下稳定运行。开启电压(**Vth**)为 1.7V,显示出在低电压驱动时的良好导通特性。在 VGS=4.5V 和 VGS=10V 时,导通电阻(**RDS(ON)**)分别为 3100mΩ 和 2800mΩ,这意味着该器件在相应的栅极电压下具有适度的导通损耗。MTNK1N3-VB 的 **Trench 技术**使其在高频开关应用中表现出色,适合于各种现代电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、MTNK1N3-VB 详细参数说明

| **参数** | **数值** | **说明** |
|-------------------------|---------------------------|------------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 | 表面贴装封装,适合小型化设计 |
| **配置** | 单 N 沟道 | 单一的 N 沟道配置 |
| **VDS(漏源极电压)** | 60V | 能承受的最大漏源极电压 |
| **VGS(栅源极电压)** | ±20V | 栅极允许的最大电压范围 |
| **Vth(开启电压)** | 1.7V | 栅极电压达到此值时 MOSFET 导通 |
| **RDS(ON)@VGS=4.5V** | 3100mΩ | 在 4.5V 栅极电压下的导通电阻 |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 2800mΩ | 在 10V 栅极电压下的导通电阻 |
| **ID(漏极电流)** | 0.3A | 最大连续漏极电流 |
| **技术** | Trench | 沟槽技术,适合低电压高效应用 |

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领域和模块应用:

三、MTNK1N3-VB 应用领域与模块示例

1. **低功耗开关电路**
MTDK1N3-VB 适合用于 **低功耗开关电路**,由于其较低的开启电压和适中的导通电阻,能够有效地在低电压下提供可靠的开关功能,适合在电池供电的设备中应用。

2. **便携式设备**
在 **便携式设备** 中,MTNK1N3-VB 可以用于电源管理和电源开关,帮助延长设备的电池续航时间,并提供稳定的电流供应,确保设备的正常运行。

3. **LED 驱动电路**
此 MOSFET 可以作为 **LED 驱动电路** 的开关元件,控制 LED 的亮灭和调光功能,适用于各种照明应用,如室内灯具和汽车灯光。

4. **消费电子产品**
MTDK1N3-VB 在 **消费电子产品** 中表现优越,可用于音频设备、蓝牙耳机和智能手机的电源管理模块,提供稳定的电流和高效的能量转换。

5. **家电控制系统**
该器件也可广泛应用于 **家电控制系统** 中,作为电源开关和驱动元件,确保家电的高效能和可靠性,例如在微波炉、洗衣机等设备中应用。

总之,MTNK1N3-VB 是一款性能优良的单 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种高效电源管理和开关应用,满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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