推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

MMFTN123-VB 产品详细

产品简介:

MMFTN123-VB 产品简介

**MMFTN123-VB** 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,设计用于低功耗和高效能的开关应用。这款 MOSFET 的漏极-源极电压(VDS)最高可达 100V,适合在高电压环境下使用。其阈值电压(Vth)为 1.5V,使其在较低的栅极驱动电压下就能有效工作。尽管其导通电阻(RDS(ON))较高(3000mΩ @ VGS = 4.5V 和 2800mΩ @ VGS = 10V),MMFTN123-VB 仍然适合低功耗应用,尤其是在高频开关和电源管理系统中。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 20(±V) 1.5V 0.26A 2800mΩ
MMFTN123-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3000 mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800 mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏电流 (ID)**: 0.26A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **低功耗电源管理**: MMFTN123-VB 适用于低功耗的电源管理模块,如 DC-DC 转换器和稳压器。其高耐压能力和较低的导通电阻使其能够有效管理电源,提高系统的能效。

2. **开关电源**: 在开关电源应用中,此 MOSFET 可用于功率开关,能在较高频率下工作,从而减少开关损耗,提升整体系统性能。

3. **LED 驱动电路**: 此 MOSFET 可以用于 LED 驱动电路,能够精确控制流经 LED 的电流,以实现更好的亮度和能效控制。

4. **便携式设备**: MMFTN123-VB 适合用于各种便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和小型电池供电设备,提供高效的电源切换和管理解决方案。

5. **汽车电子**: 此 MOSFET 可用于汽车电子控制系统,如电动窗控制、电机驱动和其他低功耗开关应用,确保高效和可靠的电流控制。

通过其卓越的性能和广泛的应用场景,MMFTN123-VB 成为现代低功耗电源管理解决方案的重要组成部分。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询

查询相关型号报价

怎么申请免费打样

现在有优惠活动么