产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
二、ME2N7002D-VB 详细参数说明
| **参数** | **数值** | **说明** |
|----------------------|------------------------------|--------------------------------------------|
| **封装** | SOT23-3 | 小型表面贴装封装，适合空间有限的电路设计 |
| **沟道类型** | 单N沟道（Single-N-Channel） | 适用于低侧开关应用 |
| **VDS** | 60V | 漏极-源极电压，最大支持 60V |
| **VGS** | ±20V | 栅极-源极电压范围 |
| **Vth (阈值电压)** | 1.7V | 开启MOSFET所需的最小栅极电压 |
| **RDS(ON)** | 3100mΩ（@VGS=4.5V） | 在4.5V栅极驱动电压下的导通电阻 |
| | 2800mΩ（@VGS=10V） | 在10V栅极驱动电压下的导通电阻 |
| **ID（最大漏极电流）**| 0.3A | 在规定条件下的最大连续电流 |
| **技术工艺** | Trench（沟槽） | 提供较低导通电阻和快速开关能力 |
| **应用温度范围** | -55°C ~ 150°C | 适用于各种工业和消费电子环境 |
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领域和模块应用：
三、ME2N7002D-VB 应用领域与模块示例
1. **便携式电子设备**
ME2N7002D-VB非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源开关，能够在节能模式下快速开关，提高电池使用效率。
2. **电源管理模块**
该MOSFET可用于电源管理IC中，作为开关元件有效调节输出电压和电流，确保系统稳定运行，广泛应用于电脑及其他电子设备中。
3. **LED驱动电路**
在LED驱动电路中，ME2N7002D-VB可作为负载开关，控制LED的开启和关闭，适合用于照明设备和显示屏。
4. **小型电机控制**
该型号MOSFET可用于电机控制电路，通过精确控制电流来调节小型电机的转速，适合于玩具、家用电器及小型机器人等应用。
5. **信号开关**
在无线通信和传感器应用中，ME2N7002D-VB可作为信号开关，快速响应信号的开关需求，提高系统的灵活性和响应速度。
凭借其卓越的性能，ME2N7002D-VB在现代电子产品的设计中占据了重要位置，适合多种应用场合。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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