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LBSS138LT1G-VB 产品详细

产品简介:

一、LBSS138LT1G-VB MOSFET产品简介

LBSS138LT1G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为空间有限的应用而设计。其漏源电压(VDS)最高可达60V,适用于中高压电源管理电路。该器件的栅源电压(VGS)范围为±20V,确保其在各种工作条件下都能稳定运行。开启阈值电压(Vth)为1.7V,使其在较低的栅电压下迅速开启,从而提升了整体系统的响应速度。尽管LBSS138LT1G-VB的导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为3100mΩ,在VGS为10V时为2800mΩ,但其小巧的SOT23-3封装使得它在各种应用中具有极高的灵活性。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为0.3A,适合于低功耗的开关电源和信号调节应用。LBSS138LT1G-VB广泛应用于消费电子、便携设备和通信设备等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、LBSS138LT1G-VB MOSFET详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **极性配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ@VGS=4.5V
- 2800mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽式(Trench)技术
- **功率耗散**: 最大功率耗散能力通常在200mW左右,具体值需参考热特性表。
- **工作温度范围**: -55°C至150°C,具体值需参考详细技术文档。
- **封装引脚数**: 3引脚

领域和模块应用:

三、LBSS138LT1G-VB MOSFET应用领域及适用模块举例

1. **消费电子产品**
LBSS138LT1G-VB广泛应用于各种消费电子设备,如智能手机、平板电脑和便携式音响等。其小巧的封装和高效的开关特性使其非常适合于电源管理、充电电路和信号放大应用,帮助提升设备的续航能力和整体性能。

2. **便携式设备**
该MOSFET适用于各种便携式设备的电源开关和控制电路中。其低功耗和小尺寸特性使得在有限的空间内实现高效电源管理成为可能,适合用于蓝牙耳机、便携式游戏机及小型智能家居设备等。

3. **通信设备**
LBSS138LT1G-VB在通信设备中也具有广泛的应用,如路由器、交换机及信号放大器等。它能有效管理信号通路的开关,从而增强设备的稳定性和响应速度,确保可靠的数据传输。

4. **电源管理模块**
在电源管理模块中,LBSS138LT1G-VB用于DC-DC转换器和线性调节器的控制电路。其高开关频率和较低的导通电阻使其能在实现高效率转换的同时,减少热量产生,适合于高性能电源解决方案。

综上所述,LBSS138LT1G-VB MOSFET凭借其出色的电气性能、紧凑的封装和广泛的适用性,为现代电子产品提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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