推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

L2SK801LT1G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介——L2SK801LT1G-VB

L2SK801LT1G-VB是一款低功耗单N沟道MOSFET,采用紧凑型SOT23-3封装,适用于低电压、低电流的应用场景。其最大漏源电压(VDS)为60V,栅极电压(VGS)为±20V,门槛电压(Vth)为1.7V。该MOSFET的导通电阻在VGS为10V时为2800mΩ,具有较高的导通电阻,适合小功率应用。其最大漏极电流(ID)为0.3A,使用Trench技术优化了器件的开关性能和效率,适合便携式设备和其他需要小型化、低功耗解决方案的应用。

---

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

1. **器件配置:**
- 配置:单N沟道
- 封装类型:SOT23-3

2. **电气参数:**
- 漏源电压(VDS):60V
- 栅极电压(VGS):±20V
- 门槛电压(Vth):1.7V

3. **导通电阻:**
- RDS(ON) = 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 2800mΩ @ VGS = 10V

4. **电流能力:**
- 最大漏极电流(ID):0.3A

5. **技术:**
- 技术类型:Trench技术

---

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **便携式电子设备:**
- L2SK801LT1G-VB由于其低功耗和小封装,适合应用于便携式电子设备,如智能手机、手持设备和可穿戴设备等。其较高的导通电阻限制了其功率处理能力,因此更加适合低电流的信号开关或小型驱动电路。

2. **电池管理系统:**
- 该MOSFET适用于小型电池管理模块,用于控制电流路径或进行电池充放电管理。其低功耗特性和小型封装能够有效节省电路板空间,适合于轻量化设备的设计。

3. **传感器驱动与控制电路:**
- 在各种传感器驱动电路中,L2SK801LT1G-VB能够用作信号放大器或低功耗的开关元件,适合用于低功耗信号处理电路,如温度、压力和光学传感器等领域。

4. **微功率开关电源:**
- 该器件还可用于微功率的开关电源或直流到直流转换器,在低电流情况下优化电路效率,并帮助节省电力,从而延长电池寿命。

---

L2SK801LT1G-VB专为低电流、低功率应用而设计,适用于对功耗敏感的场景,如便携式设备、电池管理和微功率电源系统,满足现代电子设备对小型化、低功耗元件的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询

查询相关型号报价

怎么申请免费打样

现在有优惠活动么