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L2SK3019LT1G-VB 产品详细

产品简介:

一、L2SK3019LT1G-VB 产品简介

L2SK3019LT1G-VB 是一款小封装的单通道 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适用于低功率、小电流应用场合。该器件最大漏源电压(VDS)为 60V,漏极电流(ID)为 0.3A,利用先进的沟槽(Trench)技术,实现较低的导通电阻,但其主要针对的是小功率应用。其导通电阻为 3100mΩ@VGS = 4.5V 和 2800mΩ@VGS = 10V,非常适合用于便携设备中的电流控制和开关电路。L2SK3019LT1G-VB 的阈值电压(Vth)为 1.7V,能够在较低的栅源电压下开启。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、L2SK3019LT1G-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **通道配置**: 单通道 N 型
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: 沟槽技术 (Trench)
- **功率损耗 (Ptot)**: 基于散热设计,典型功率约为数百毫瓦
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **静态电流 (IDSS)**: 极低的漏电流,适合低功耗应用

领域和模块应用:

三、L2SK3019LT1G-VB 应用领域与模块说明

1. **便携式电子设备**
L2SK3019LT1G-VB 由于其小封装和低电流能力,非常适合应用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑以及穿戴设备中的电源管理模块。这些设备需要低功耗和小体积的元件来优化电池寿命和设备性能。

2. **信号开关电路**
该 MOSFET 可以用于信号开关电路中,控制小电流信号的切换。它在无线电频率设备、传感器模块以及微控制器接口电路中能够提供可靠的电流控制和切换功能。

3. **电源控制应用**
L2SK3019LT1G-VB 可用于低功耗电源控制应用,如 USB 电源接口、充电电路以及低功率开关电源。其较高的漏源电压(60V)使其在一些需要电源隔离或保护的场景中表现良好,尤其是需要对小电流进行高效控制的应用。

4. **工业自动化和监控系统**
在工业自动化和监控系统中,L2SK3019LT1G-VB 可作为小功率电流控制器件,调节低功率传感器或执行器的操作。它能够在监控和控制系统的低功耗模块中充当关键开关元件。

总结来说,L2SK3019LT1G-VB 是一款非常适合便携式设备、信号切换及小功率电源控制应用的小型 MOSFET,因其低功耗和小封装而广泛用于低功率电子模块和设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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