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KIA3409-VB 产品详细

产品简介:

一、KIA3409-VB 产品简介
KIA3409-VB 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,具有紧凑的尺寸和优秀的电气特性。该器件的漏源极电压 (VDS) 额定为 -30V,使其适合用于负电源和反向电流控制应用。凭借其高达 -5.6A 的漏极电流 (ID) 额定值和低导通电阻 (RDS(ON)),KIA3409-VB 提供了出色的开关性能和能效,尤其适用于电源管理和负载开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
二、KIA3409-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 P 沟道 (Single-P-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**:-30V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:-5.6A
- **技术**:沟槽 (Trench)
- **工作温度范围**:-55°C ~ 150°C
- **输入电容 (Ciss)**:通常在几百皮法 (pF) 级别,具体取决于驱动条件
- **开关速度**:快速的导通和关断时间,具体取决于栅极电荷 (Qg) 和外部驱动电路
- **封装尺寸**:SOT23-3 封装尺寸为 2.9 mm x 2.6 mm x 1.1 mm
- **耗散功率 (PD)**:典型值为 0.7W

领域和模块应用:

三、KIA3409-VB 适用领域和模块应用

1. **电源管理模块**:
KIA3409-VB 由于其高效的开关特性和低 RDS(ON),非常适合用于电源管理模块,特别是在负载开关和电源分配应用中。它能够有效控制电源输出,提高系统的能效,常见于家用电器和工业控制系统中。

2. **便携式设备**:
该 MOSFET 的小巧 SOT23-3 封装使其成为便携式电子设备的理想选择。在移动设备、智能手表和其他小型电子产品中,KIA3409-VB 可以用作负载开关,以优化电池的使用效率,延长设备的工作时间。

3. **电动汽车和混合动力汽车**:
在电动汽车和混合动力汽车中,KIA3409-VB 可用于电池管理系统,控制充电和放电过程。这款 MOSFET 的高电流额定值和良好的热性能使其适合在汽车应用中处理电源管理任务,确保安全与效率。

4. **LED 驱动器**:
KIA3409-VB 也可以用于 LED 驱动电路,提供稳定的电流控制。在照明应用中,这款 P 沟道 MOSFET 能够快速开关,调节 LED 的亮度,并在不同电源条件下保持稳定的输出,广泛应用于家居和商业照明系统。

5. **逆变器与太阳能系统**:
该器件在太阳能逆变器中具有重要应用,能够有效管理光伏模块输出的电流。KIA3409-VB 的可靠性和低功耗特性使其在太阳能发电系统中成为高效能的开关元件,优化整个系统的能量转换效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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