KIA2341-VB - VBsemi MOS管制造商

KIA2341-VB 产品详细

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产品简介：

一、KIA2341-VB 产品简介

KIA2341-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 P 沟道 MOSFET，适用于低电压开关和负载驱动应用。这款 MOSFET 具备 -20V 的漏源极电压 (VDS) 和最大为 -4A 的漏极电流 (ID)，通过其先进的 Trench 技术实现了低导通电阻和高效率。其栅极电压范围为 ±12V，启用门限电压 (Vth) 为 -0.8V。这些特性使 KIA2341-VB 成为小型化和高能效设计的理想选择，特别适用于便携式设备、DC-DC 转换器和功率管理系统。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-P	-20V	12（±V）	-0.8V	-4A	80mΩ		60mΩ

二、KIA2341-VB 详细参数说明

- **封装 (Package)：** SOT23-3
- **配置 (Configuration)：** 单 P 沟道 (Single-P-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)：** -20V
- **栅源极电压 (VGS)：** ±12V
- **门限电压 (Vth)：** -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))：**
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)：** -4A
- **技术 (Technology)：** Trench

领域和模块应用：

三、应用领域及模块举例

1. **便携式设备：**
由于 KIA2341-VB 具有低导通电阻和小型化封装设计，它非常适合用于便携式设备中的功率管理模块。比如，在智能手机、平板电脑等小型电子设备中，它可以用于电源开关控制和充电电路中，以减少功率损耗和延长电池寿命。

2. **DC-DC 转换器：**
这款 MOSFET 还可以应用于低压 DC-DC 转换器模块，尤其适用于对电源效率要求较高的场合。在这种应用中，KIA2341-VB 可以在稳压和转换电路中起到重要作用，帮助实现高效能量转换和热管理。

3. **电源管理系统：**
在电源管理系统中，KIA2341-VB 可用于负载开关和保护电路。它的低导通电阻有助于减少电路中的功耗，同时其 P 沟道结构允许其在负电压环境下进行有效控制，适用于电源分配和管理电路中的负载驱动模块。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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