产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
200V |
20（±V） |
2.5V |
0.6A |
|
|
1400mΩ |
|
详细参数说明：
1. **封装：** SOT23-3 – 小型表面贴装封装，适合空间受限的应用。
2. **配置：** 单 N 通道 – 适用于多种开关和放大电路。
3. **VDS（漏极到源极电压）：** 200V – 适合高电压应用。
4. **VGS（栅极到源极电压）：** ±20V – 提供良好的电压容忍度。
5. **Vth（阈值电压）：** 2.5V – 较低的阈值电压确保快速导通。
6. **RDS(ON)（漏源间导通电阻）：** 1400mΩ @ VGS = 10V – 适合低功耗应用，有助于减少发热。
7. **ID（连续漏电流）：** 0.6A – 支持小型负载，适用于低功率电源。
8. **技术：** Trench – 使用沟槽技术，提供低导通电阻和高效率。
领域和模块应用：
应用示例：
K4147-T2B-AT-VB MOSFET 因其小巧和高效的特点，广泛应用于多个领域。以下是一些具体的应用示例：
- **便携式电子设备：** 由于其低功耗特性，K4147 非常适合用于便携式设备的电源管理，如手机、平板电脑和便携式音响等。
- **LED驱动：** 在 LED 照明系统中，K4147-T2B-AT-VB 可以用作开关控制器，提供稳定的电流，确保 LED 的亮度和寿命。
- **电池管理系统：** 该 MOSFET 可以在电池管理电路中用作开关，控制充放电过程，从而优化电池使用效率。
- **小型电源适配器：** K4147 的小型封装和高效率使其非常适合用于小型电源适配器和充电器中，实现高效能的电源转换。
- **传感器接口：** 在传感器应用中，该 MOSFET 可以用作信号开关，确保低功耗且高效的信号处理。
综上所述，K4147-T2B-AT-VB MOSFET 由于其优越的性能和小型封装，广泛应用于便携式电子设备、LED 驱动、电池管理和小型电源适配器等领域，具有重要的市场价值。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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