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K4035-VB 产品详细

产品简介:

一、K4035-VB 产品简介
K4035-VB 是一款小型N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为需要中等电压和电流的应用而设计。其漏源电压 (VDS) 可达200V,适合用于中等电压的电源管理和开关应用。该器件的导通电阻 (RDS(ON)) 为1400mΩ@VGS=10V,使其在高电压应用中仍能保持良好的性能。K4035-VB 采用了Trench技术,能够在小体积下实现高效能的电流控制,非常适合于空间受限的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
二、K4035-VB 参数说明
- **封装形式**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:200V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:0.6A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

三、适用领域和模块
1. **开关电源**:K4035-VB 非常适合用于开关电源模块,能够在高电压下提供可靠的开关控制,减少功率损失,提高系统的整体效率。

2. **LED驱动电路**:该MOSFET可以用于LED照明驱动中,尤其是在小型LED应用中,能够实现高效的电流调节,确保LED的稳定运行和长寿命。

3. **电池管理系统**:在电池充电和管理应用中,K4035-VB 可用作开关元件,提供电流路径的控制,以保护电池并提高充电效率。

4. **通信设备**:适合用于通信设备的电源管理模块,能够帮助实现高效的电源转换和稳压,确保设备在高电压环境下的可靠性。

K4035-VB 以其小型化和高效能的特点,广泛应用于现代电子产品中,特别是在对体积和性能都有较高要求的领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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