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K2158-T2B-A-VB 产品详细

产品简介:

一、K2158-T2B-A-VB产品简介

K2158-T2B-A-VB是一款高效能单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为中低电压应用而设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为60V,适合处理多种电子应用中的中等电压需求。其阈值电压(Vth)为1.7V,支持低电压驱动,方便在各种电路中实现高效的开关操作。K2158-T2B-A-VB利用沟槽(Trench)技术,导通电阻(RDS(ON))为3100mΩ@VGS=4.5V和2800mΩ@VGS=10V,虽然相对较高,但在低功率应用中仍然表现良好。最大漏极电流(ID)为0.3A,使其适合于小型电子设备中的开关和放大应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、K2158-T2B-A-VB详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **沟道配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **便携式电子设备**
K2158-T2B-A-VB适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。这款MOSFET能够在小巧的封装内提供有效的电源管理,支持电源切换和信号放大功能,确保设备在不同工作模式下的高效能。

2. **LED驱动电路**
在LED驱动应用中,K2158-T2B-A-VB可以作为开关元件,控制LED的亮度和开关状态。其适中的导通电阻使其能够在小功率LED照明系统中实现有效的驱动,适合用于室内照明和装饰灯具。

3. **电源管理系统**
由于其较高的耐压能力和低阈值电压,K2158-T2B-A-VB适合用于各类电源管理系统,包括DC-DC转换器和电源开关。其稳定性和高效性使其能够满足现代电源系统对能效的严格要求,广泛应用于电源适配器和充电器等设备。

通过这些具体的应用领域示例,K2158-T2B-A-VB为工程师提供了可靠的解决方案,以满足中低电压和小功率的电源管理需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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