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K2158A-T2B-AT-VB 产品详细

产品简介:

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K2158A-T2B-AT-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用小型SOT23-3封装,专为低电压应用设计。该器件具有60V的漏源电压,最大漏极电流为0.3A,结合3100mΩ(@VGS=4.5V)和2800mΩ(@VGS=10V)的导通电阻,确保良好的开关性能和热管理。K2158A-T2B-AT-VB采用先进的Trench技术,适合于各种便携式电子设备和低功耗应用,具有出色的能效和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明:

- **型号**: K2158A-T2B-AT-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域及模块示例:

1. **便携式电子设备**:
K2158A-T2B-AT-VB非常适合用于手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统。其小型封装和低功耗特性使其在移动设备中发挥重要作用,能够有效控制电源的开关和管理,延长设备的电池寿命。

2. **LED驱动**:
该MOSFET可以用于低功率LED照明系统,作为驱动开关元件,提供稳定的电流控制,确保LED的亮度一致性。在家庭照明和装饰灯具中,K2158A-T2B-AT-VB能够实现高效的电流控制,优化能量使用。

3. **电池管理系统**:
K2158A-T2B-AT-VB适合用于电池管理系统(BMS),帮助控制充放电过程。由于其低导通电阻和较高的开关效率,能够提高电池的使用效率和安全性,广泛应用于电动汽车和可再生能源储能系统中。

4. **开关电源**:
在小型开关电源和DC-DC转换器中,K2158A-T2B-AT-VB可以作为开关器件,优化电源转换效率。其优异的导通性能和低功耗特性使其适合各种低电压应用,确保高效的电能转换。

K2158A-T2B-AT-VB凭借其卓越的电气特性和广泛的应用适应性,成为现代电子设计中重要的元件,满足低功耗、高效能的多种电力转换和控制需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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