产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
二、K2158A-T1B-AT-VB 详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: Trench
- **最大耗散功率**: 0.25W (典型值)
- **工作温度范围**: -55°C ~ 150°C
- **输入电容 (Ciss)**: 600pF (典型值)
- **输出电容 (Coss)**: 80pF (典型值)
- **反向恢复时间 (trr)**: 100ns (典型值)
领域和模块应用：
三、K2158A-T1B-AT-VB 应用领域及模块示例
1. **便携式设备电源管理**
K2158A 由于其小巧的封装和低功耗特性，非常适合用于便携式设备的电源管理电路。这款MOSFET能够在移动设备中实现高效的电源开关控制，从而延长电池寿命，提升设备的整体性能。
2. **LED驱动电路**
此MOSFET 也适合用于LED照明驱动模块，能够提供稳定的开关性能，确保LED的亮度均匀并降低功耗，适合用于各种照明产品。
3. **电机驱动控制**
K2158A 在小功率电机控制系统中表现优异，能够有效驱动小型直流电动机或步进电动机，适合在玩具、家用电器和自动化设备中使用。
4. **信号放大与开关电路**
此外，该MOSFET 还适用于信号放大和开关电路，能够在各种通信和电子产品中提供高效的信号处理能力，确保数据传输的稳定性和可靠性。
K2158A-T1B-AT-VB
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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