产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
二、K2036-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**：SOT23-3
- **配置**：单通道 N 型 MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**：60V
- **栅源极电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- VGS = 4.5V 时：3100mΩ
- VGS = 10V 时：2800mΩ
- **漏极电流（ID）**：0.3A
- **技术**：Trench
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
- **功耗**：0.3W（典型）
- **输入电容（Ciss）**：约20pF（典型）
- **封装引脚**：
- 引脚1：栅极（Gate）
- 引脚2：源极（Source）
- 引脚3：漏极（Drain）
领域和模块应用：
三、K2036-VB 应用领域与模块示例
1. **电池管理系统（BMS）**：K2036-VB MOSFET 适用于低功率电池管理应用。它的低导通电阻和高耐压特性使其能在电池电量检测和小电流负载开关中有效工作，尤其在锂电池和镍氢电池的电压检测模块中有广泛应用。
2. **便携式设备电源管理**：此 MOSFET 常用于便携式电子设备中的电源开关控制，如智能手表和无线耳机等小型设备。其紧凑的 SOT23-3 封装适合空间有限的 PCB 设计，帮助优化电源控制。
3. **低电流 DC-DC 转换器**：在某些轻载应用中，如手持设备的 DC-DC 降压转换器中，K2036-VB 的低电流和低导通电阻特点可以提高转换效率，减少能量损耗。
4. **传感器接口电路**：K2036-VB 还可用于传感器应用中，特别是作为信号开关或电压选择电路，用以选择不同电压通道的传感器或启动低功耗信号路径。
这些应用例子展示了 K2036-VB 的多样化用途，特别适合功耗敏感、空间受限的低电流电子系统设计。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
