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K2033-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介:

K2033-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,具有良好的开关性能和较低的导通电阻,适用于小电流应用场合。该器件的主要特性包括60V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS),以及1.7V的栅极阈值电压(Vth)。它基于Trench技术,具备较高的集成度和功率密度,是便携式设备以及其他低功耗应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、详细参数说明:

- **封装形式**:SOT23-3
- **通道类型**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3100mΩ@VGS=4.5V
- 2800mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术类型**:Trench沟道技术

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例:

1. **便携式电子设备**:由于K2033-VB的低导通电阻和小封装形式,非常适合在便携式设备如智能手机、平板电脑等中用于电源管理模块。例如,作为负载开关控制,可以有效减少电路中的功耗。

2. **电池供电设备**:该MOSFET在低电压下能提供稳定的开关性能,适用于电池管理系统,特别是在小电流负载下使用。它可以用于电池保护电路中,帮助延长设备的使用时间。

3. **信号调节电路**:K2033-VB的低漏极电流特性使其适合用于小信号开关和调节电路,广泛应用于无线设备、遥控器以及低功耗通信模块中。

4. **低功耗开关应用**:K2033-VB的高VDS和较低的RDS(ON)使其在低功耗开关应用中非常合适,如LED驱动器、充电器以及传感器电路,能够提高电路的能效。

通过这些应用例子,可以看出K2033-VB MOSFET适用于多种需要高效开关和低功耗的小电流应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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