K1590-VB - VBsemi MOS管制造商

K1590-VB 产品详细

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产品简介：

K1590-VB 产品简介
K1590-VB 是一款高效的 N-Channel MOSFET，采用 SOT23-3 封装，专为低电压和小功率应用设计。其漏源电压 (VDS) 可达 60V，最大漏电流 (ID) 为 0.3A，适合各种便携式电子设备。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V，具有良好的开关特性，能够在较低的驱动电压下实现高效导通。采用 Trench 技术的 K1590-VB 在 VGS 为 4.5V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 3100mΩ，而在 VGS 为 10V 时降低至 2800mΩ，这使其在多种电源管理和信号调节应用中表现出色。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-N	60V	20（±V）	1.7V	0.3A			2800mΩ

详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块
K1590-VB 适用于多个电子领域，尤其是在小型电源和低功率设备中。它广泛应用于手机、平板电脑及其他便携式设备的电源开关，提供高效的能量转换。此外，该 MOSFET 还可以用于 LED 驱动电路中，确保亮度的稳定性和调节能力。在家用电器和消费电子产品中，K1590-VB 是电源适配器和充电器的理想选择，能够有效控制电流并提高能量效率。在智能家居和自动化系统中，它同样被用作开关元件，以支持各种传感器和执行器的功能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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