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K1590-T2B-A-VB 产品详细

产品简介:

K1590-T2B-A-VB 产品简介

K1590-T2B-A-VB 是一款高效的 N 沟道 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,专为低电压和中小电流应用设计。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 60V,适用于多种电子电路。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V,使得其能够在较低的栅电压下快速导通,适合于快速开关应用。K1590-T2B-A-VB 在 VGS=10V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 2800mΩ,具有良好的导通性能,能够有效降低功耗和热量积聚,提升系统的可靠性与效率。该 MOSFET 的最大漏电流 (ID) 为 0.3A,适合小型功率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**:K1590-T2B-A-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

K1590-T2B-A-VB 在多个领域中具有广泛的应用潜力,主要包括:

1. **移动设备**:
- 由于其小型封装和低功耗特性,K1590-T2B-A-VB 非常适合在智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理和开关电路中使用,帮助实现更长的电池续航时间。

2. **消费电子**:
- 在消费电子产品(如游戏机、家用电器等)的电源转换和控制电路中,K1590-T2B-A-VB 能够有效控制电源开关,提高系统的能效,降低待机功耗。

3. **LED 驱动电路**:
- K1590-T2B-A-VB 可以用于 LED 驱动电路中,凭借其低 RDS(ON) 特性,提供稳定的电流以驱动 LED 光源,确保均匀的照明效果和延长 LED 使用寿命。

4. **低功耗无线通信设备**:
- 该 MOSFET 适合用于无线通信设备的射频模块和其他相关电路中,提供高效的功率放大和信号调制功能,确保良好的通信质量。

5. **电源适配器**:
- K1590-T2B-A-VB 也适用于小型电源适配器中,帮助优化输入开关和输出调节,从而提高电源转换效率,降低能耗。

综上所述,K1590-T2B-A-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和小型化设计,能够满足现代电子设备在高效电源管理和小功率应用方面的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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